Jump to content

Recommended Posts

Posted
1 минуту назад, BAA сказал:

Давайте уже про германий.

А я про что? Стремится к 2 полярке на усилителях на германии, совсем не обязательно , а по мне так и вредно. 

  • Like (+1) 1
  • Hmm... (-1) 1
Posted
6 minutes ago, sova said:

А я про что? Стремится к 2 полярке

Я ея и не предлагал, скорее 2 ОК с нагрузкой в виде источника тока и мостовым подключением нагрузки.

Posted
2 минуты назад, BAA сказал:

Я ея и не предлагал, скорее 2 ОК с нагрузкой в виде источника тока и мостовым подключением нагрузки.

Для дохлых к перегреву транзисторов это перебор. Такое дело только для кремниевых безнаказанно проходит.

Posted
6 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Такое дело только для кремниевых безнаказанно проходит.

Одна из причин почему германий вымер?

Posted
25 минут назад, BAA сказал:

Нет и не надо. Всё, померла так померла.

Поэтому и будет схемотехника а-ля интегральная, начала кремниевой веры, без PNP.  Но новее чем Худ.

А кому легко? Элементная база определяет схемотехнику. В природе существуют германиевые НЧ сплавные с Uce 30 - 40 В NPN и PNP, ВЧ конверсионные с Uce 30 -45 В PNP, мощные НЧ сплавные PNP и один тип NPN (ГТ705) и ВЧ PNP диффузионно сплавные с Uce более 30 В.

ВЧ NPN диффузионно сплавные  c Uce более 15-20 В на германии видимо технологически невозможны. Я по крайне мере таких не знаю. Ни производства СССР ни зарубежного.

Posted
5 минут назад, sova сказал:

Одно дело выбрать режимы, и подобрать акт элементы,  не плодя сущностей,  то есть дополнительных , элемнентов . И другое , удваивать комплектацию да еще и с параллельными путями сигнала. 

Не надо нести всякий бред.

Я выложил здесь доработанного Филина, соберите платку проведите сравнения с вашими винтажиками. Если нужна топология платы  - выложу платы.

Posted
2 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Основная причина по которой германий вымер это отсутствие нерастворимого в воде окисла. Отсутствие такого окисла не позволяет использовать планарную технологию.

SiGe оперы вполне даже пользовал.

Posted
6 минут назад, BAA сказал:

SiGe оперы вполне даже пользовал.

Экономически не очень выгодно. Нужно только для чего нибудь очень высокочастотного. У таких ОУ слишком низкие напряжения питания. На кремнии для нашей области применения проще и дешевле. и насколько я понимаю технологию основные операции совершались на кремнии под пленками оксида, а германиевые эмиттеры формировались на заключительных стадиях процесса. Тогда можно обойтись без пленки оксида германия. 

Posted
24 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Тогда можно обойтись без пленки оксида германия. 

Там скорее гетеро.
В карбиде тоже окисел не тот, да и в нитриде изолятор другой.
В биполярном оксида не надо. PECL он никак не КМОП.

Posted
Только что, BAA сказал:

Там скорее гетеро.
В карбиде тоже окисел не тот, да и в нитриде изолятор другой.
В биполярном оксида не надо. PECL он никак не КМОП.

В биполярном надо. При тройной диффузии сначала на эпитаксиальной пленке формируют окисел, потом вскрывают окна и формируют базо-эмиттерные области и высокоомную часть коллектора. Потом опять окисляют вскрывают окна и формируют металлизацию для выводов базы и эмиттера. Это упрощенное описание техпроцесса КТ8101 КТ8102. 

Posted
6 минут назад, Владимир Перепелкин сказал:

В биполярном надо. При тройной диффузии сначала на эпитаксиальной пленке формируют окисел, потом вскрывают окна и формируют базо-эмиттерные области и высокоомную часть коллектора. Потом опять окисляют вскрывают окна и формируют металлизацию для выводов базы и эмиттера. Это упрощенное описание техпроцесса КТ8101 КТ8102. 

Про технологию карбидных транзисторов не знаю. Но используется в качестве изолятора и междуоперационной маски то же что то нерастворимое в воде. 

Posted

Послушайте, травить можно плазмой, и маску делать не оксидную - оно типа зачем. Все делается для подешевле.

Posted

Конечно можно. Было даже несколько планарных NPN транзисторов на германии, один тип точно знаю ГТ311. Но там какой то затык с напряжением Uce. Высоковольтные и высокочастотные не получаются. На кремнии проще и дешевле. И ОБР у кремниевых шире. Для мощного транзистора один из важнейших параметров. Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны. 

Posted
7 минут назад, Владимир Перепелкин сказал:

 Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны. 

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

Posted

По отзывам хороши 2 SB407 , AL102 / видел в продаже на авито.

Кто то отзывался что на наши транзисторы тратить время не стоит. Не считая некторых, П605 к примеру.

Posted
1 hour ago, ДимДимыч said:

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

У 813 достаточно неплохо, граничное 80В при токе коллектора 3А. да и у 806 столько же.
У 813 кристалл раза в два больше. 

Posted
1 час назад, ДимДимыч сказал:

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

Плохо. Очень высокая склонность к вторичному пробою. Резкое падение допустимой мощности рассеивания при напряжении коллектор эмиттер более 15 - 20 В. В общем напряжение питания не рекомендуется делать более чем +-18 В, в случае двухполярного питания или 36 В однополярного.

  • Like (+1) 1
Posted
28 минут назад, BAA сказал:

У 813 достаточно неплохо, граничное 80В при токе коллектора 3А. да и у 806 столько же.
У 813 кристалл раза в два больше. 

Вы путаете допустимое напряжение Uce и зависимость допустимой мощности рассеивания от напряжения Uce. Так вот у транзисторов ГТ806, ГТ813 допустимая мощность катастрофически падает при Uce более 15 В. 

Posted
26 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Вы путаете допустимое напряжение Uce и зависимость допустимой мощности рассеивания от напряжения Uce. Так вот у транзисторов ГТ806, ГТ813 допустимая мощность катастрофически падает при Uce более 15 В. 

И что у нас такое Область Безорасной Работы? Именно, устойчивость ко вторичному пробою при пропускании тока при напряжении на КЭ.
Граничное не совсем то же, но кореллируется с ОБР. Графиков, к сожалению не нашел.

Posted
1 час назад, BAA сказал:

 Графиков, к сожалению не нашел.

Именно, только по ним можно посмотреть область ОБР.

Я от Владимира услышал то что мне и Бокарёв объяснил.

   И кстати 806 по ОБР лучше чем 813, хотя по мощностным параметра вроде как 813 лучше.

Не знаю согласится ли с этим Владимир.

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

  • Recently Browsing   0 members

    • No registered users viewing this page.

  • Клубы

  • Сообщения

    • Это и есть физика, а как это достигается мне абсолютно безразлично. Я беру усилительный прибор с соответствующими параметрами и на их основе рассчитываю каскад. Где-то валяются бракованные светлановские 300В, товарищ неудачно купил на Митинке, там полнакала не в контакте, если рассуждать "от геометрии" должны быть дикие искажения, но нет, крутизна/ток поменьше, а все остальное так же.
    • Вы тоже через строку читаете.  Где написано латерал в ОМ? В том что делаю стоят латералы, в нужном количестве.  Пока не договоримся о терминологии будет еще веселее.  Мне достаточно мнения тех самых людей, помянутых выше. И которые не делают композиты, за исключением измерительной аппаратуры. Обычно малосигнальной. И операционники которых для сонаров. Чтоб кита отличать... Согласен, что оффтопик. Более не буду. С ув., BAA
    • Ааа... понял. Память стала ни к чёрту.
    • 1. Потенциал схемы петлевое усиление 130 дБ 1 кГц, 90 дБ 20 кГц. 2. Если хочется сохранить удобство автоматической защиты по ОБР, то нужно сделать некоторые добавления для подавления подпороговых токов. Схемотехнически предохранители многократно проще. ОБР современных транзисторов позволяет безнаказанно пережигать предохранители без последствий. 3. Я в таких схемах всегда наблюдал кривобокий клип с большим затягиванием восстановления  при отсутствии схемы антиклипа. Примечание - клип нужно контролировать на 20 кГц.   
    • ВАА, вы немного зеленое и соленое перепутали. При насыщении падает петлевое усиление, а не усиление обусловленное делителем ООС. А падение петлевого обычно увеличивает запас устойчивости. А где в ОМ-ах латералы? В упор не вижу.
    • А кто это Соломон Самуилович ? Не могу вспомнить.
    • Это было замечание о поведении подобных схем. Ку запросто падает при насыщении каскада. Силовых схем не делал и не собираюсь. Хотя есть, но там просто -40/-20 в петлевом из-за особенности нагрузки... простейшая коррекция. ОБР у латералов достаточная.
    • Вродебы к архиву приложена модель усилителя для симулятора... Можно все покрутить в симуляторе и посмотреть...
    • Со всем согласен. но...считаю что пропитка улучшает звук.  А в случае Фломастера просто необходима! Межкаскадники намотаны ПЭЛШО и ПЭВ в 2 провода. То есть трансы то бифиляры.  
    • Уважаемый ВП, благодарю за ответ! Если можно - подробней. 1. Неполная матрица коррекции - что это и как должна выглядеть полная, схемотехнически?  Немо обещает без малого 100 дБ на 20к (если верить автору и его статье), что вполне себе и даже больше, чем в предложенной вами доработке 7 версии, где вы упоминали про 90 дБ на той самой частоте. 2. Плавкие предохранители лично мне не кажутся надёжным способом защитить выходной каскад. В случае чего лезть менять предохранители не самое приятное занятие, имхо. Параметры с защитой "как есть" вроде и так достаточно высокие (опять же, если верить автору и его статье). 3. О работе в ограничении упоминается в статье. На осциллограмме вроде нет криминала, насколько я могу видеть (возможно не прав, поправьте).
    • Полевиков с "логическим" уровнем на затворе много. Вопрос в том, будет ли LT-ка работать, если питание штатное подать(от вольтодобавки), а переменку - поменьше.  
    • Я правда уже писал об этом, давайте ещё раз повторю, что происходит и как устроена, например, лампа 6С4С. Пусть на общую нить накала подано постоянное напряжение 6,3В, точка последовательного соединения двух нитей внутри лампы находится под потенциалом 3,15В, то есть у левого триода нить накала имеет градиент от 0В до 3,15В, а градиент правого от 3,15В до 6,3В, так как нити накала у них имеют форму вытянутой буквы Л, интегральные средние потенциалы соответственно будут равны 1,575В и 4,725В. Что это означает? У каждой половины лампы свой собственный катод. Из-за пространственного сглаживания электрического поля на удалении потенциал каждой половины усредняется независимо, для левого триода поле сглаживается вокруг его средней точки: +1,575В. Для правого триода поле сглаживается вокруг его средней точки: +4,725В. Далее, пусть на середине объединенных сеток потенциал -45В, тогда левый триод имеет управляющее напряжение равное-45В-1,575В=-46,575В,  а правый -45В-4,725В=-49,725В . Правый триод оказывается закрыт сильнее, чем левый, это приводит к тому, что анодный ток левой лампы оказывается больше чем правой. А это ещё больше увеличивает перекос катодных токов  он и без учета влияния сетки был больше( здесь имеется ввиду подмешивания анодного тока). Левый катод получает больше энергии, а следовательно и температура должна быть больше, тут конечно можно вспомнить и закон Стефана-Больцмана и то, что и «термоохлаждение» выше, но и расчеты и эксперименты, да и интуитивно понято, показывают, что температуры этих катодов разные. Ну и кроме того увеличивает этот перекос ещё и то, что к току накала подмешивается анодный ток. Конечно всё это качественные рассуждения, цифры я использовал только там где это необходимо, но и этого для нас достаточно. Всё это говорит о том, что лампы находятся в разных условиях. Теперь о одной из возможных причин отличия характеристик прямонакальных триодов. Катоды у них, как правило, из тонкой оксидированной вольфрамовой нити, что дает распределение потенциала пропорциональное 1/R^2, распределение же потенциала у относительно плоских(на малых расстояниях можно так считать) косвенно накальных катодов пропорционально 1/R, то есть плотность электронного облака в первом случае выше вблизи катода и это в какой-то степени нивелирует «островковый» эффект, тут вот писали, что триод представляют в виде N микротриодов соединенных параллельно. Грубо говоря в первом случае электроны «видят» сетку более частой, т.е. с более равномерным потенциалом, что делает ВАХ близкой к теоретической (закону 3/2). Есть конечно и другие причины.
    • Спасибо что народ делиться опытом. Я пропитывал только силовики и дросселя , воско - церезиновой смесью , в основном для исключения посторонних звуков. Так как пропитывал в закрытой кастрюле для вакуумирования то просто грел на электроплитке с контролем температуры. Думаю это пожаробезопасно . Правда в последнее время не собираю высоковольтных конструкций. По звуковым трансам тоже считаю что пропитка не полезна ( опять- же не рассматриваю высоковольтные , где необходимо бывает по техническим, а не эзотерическим причинам). Но мне интересно мнение коллег , как говориться "одна голова хорошо , а две лучше...". Поэтому и задал вопрос , если уж всё- таки придётся пропитывать,то чем с минимальным влиянием на звук.....
    • Я где то уже упоминал про Карнаубский воск для дерева, вот мастеру Алексею он понравился больше всех прочих, а работ у него много ну очень достойного качества. Так что по маслу -воску ещё один вариант есть для наших участников - пробуйте. https://www.ozon.ru/product/karnaubskiy-vosk-dlya-dereva-200-ml-bestsvetnyy-1135977728/?at=1kCk1MJSBmd92Q8J1yLe28-vkD5GkCNT&from_sku=1135977728&oos_search=false&sh=4coLDn2CPA  
  • Forum Statistics

    • Total Topics
      10.6k
    • Total Posts
      113.7k
×
×
  • Create New...