Jump to content

Усилители на германиевых транзисторах


Valinor

Recommended Posts

1 минуту назад, BAA сказал:

Давайте уже про германий.

А я про что? Стремится к 2 полярке на усилителях на германии, совсем не обязательно , а по мне так и вредно. 

  • Like (+1) 1
Link to comment
Share on other sites

6 minutes ago, sova said:

А я про что? Стремится к 2 полярке

Я ея и не предлагал, скорее 2 ОК с нагрузкой в виде источника тока и мостовым подключением нагрузки.

Link to comment
Share on other sites

2 минуты назад, BAA сказал:

Я ея и не предлагал, скорее 2 ОК с нагрузкой в виде источника тока и мостовым подключением нагрузки.

Для дохлых к перегреву транзисторов это перебор. Такое дело только для кремниевых безнаказанно проходит.

Link to comment
Share on other sites

25 минут назад, BAA сказал:

Нет и не надо. Всё, померла так померла.

Поэтому и будет схемотехника а-ля интегральная, начала кремниевой веры, без PNP.  Но новее чем Худ.

А кому легко? Элементная база определяет схемотехнику. В природе существуют германиевые НЧ сплавные с Uce 30 - 40 В NPN и PNP, ВЧ конверсионные с Uce 30 -45 В PNP, мощные НЧ сплавные PNP и один тип NPN (ГТ705) и ВЧ PNP диффузионно сплавные с Uce более 30 В.

ВЧ NPN диффузионно сплавные  c Uce более 15-20 В на германии видимо технологически невозможны. Я по крайне мере таких не знаю. Ни производства СССР ни зарубежного.

Link to comment
Share on other sites

5 минут назад, sova сказал:

Одно дело выбрать режимы, и подобрать акт элементы,  не плодя сущностей,  то есть дополнительных , элемнентов . И другое , удваивать комплектацию да еще и с параллельными путями сигнала. 

Не надо нести всякий бред.

Я выложил здесь доработанного Филина, соберите платку проведите сравнения с вашими винтажиками. Если нужна топология платы  - выложу платы.

Link to comment
Share on other sites

2 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Основная причина по которой германий вымер это отсутствие нерастворимого в воде окисла. Отсутствие такого окисла не позволяет использовать планарную технологию.

SiGe оперы вполне даже пользовал.

Link to comment
Share on other sites

6 минут назад, BAA сказал:

SiGe оперы вполне даже пользовал.

Экономически не очень выгодно. Нужно только для чего нибудь очень высокочастотного. У таких ОУ слишком низкие напряжения питания. На кремнии для нашей области применения проще и дешевле. и насколько я понимаю технологию основные операции совершались на кремнии под пленками оксида, а германиевые эмиттеры формировались на заключительных стадиях процесса. Тогда можно обойтись без пленки оксида германия. 

Link to comment
Share on other sites

24 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Тогда можно обойтись без пленки оксида германия. 

Там скорее гетеро.
В карбиде тоже окисел не тот, да и в нитриде изолятор другой.
В биполярном оксида не надо. PECL он никак не КМОП.

Link to comment
Share on other sites

Только что, BAA сказал:

Там скорее гетеро.
В карбиде тоже окисел не тот, да и в нитриде изолятор другой.
В биполярном оксида не надо. PECL он никак не КМОП.

В биполярном надо. При тройной диффузии сначала на эпитаксиальной пленке формируют окисел, потом вскрывают окна и формируют базо-эмиттерные области и высокоомную часть коллектора. Потом опять окисляют вскрывают окна и формируют металлизацию для выводов базы и эмиттера. Это упрощенное описание техпроцесса КТ8101 КТ8102. 

Link to comment
Share on other sites

6 минут назад, Владимир Перепелкин сказал:

В биполярном надо. При тройной диффузии сначала на эпитаксиальной пленке формируют окисел, потом вскрывают окна и формируют базо-эмиттерные области и высокоомную часть коллектора. Потом опять окисляют вскрывают окна и формируют металлизацию для выводов базы и эмиттера. Это упрощенное описание техпроцесса КТ8101 КТ8102. 

Про технологию карбидных транзисторов не знаю. Но используется в качестве изолятора и междуоперационной маски то же что то нерастворимое в воде. 

Link to comment
Share on other sites

Конечно можно. Было даже несколько планарных NPN транзисторов на германии, один тип точно знаю ГТ311. Но там какой то затык с напряжением Uce. Высоковольтные и высокочастотные не получаются. На кремнии проще и дешевле. И ОБР у кремниевых шире. Для мощного транзистора один из важнейших параметров. Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны. 

Link to comment
Share on other sites

7 минут назад, Владимир Перепелкин сказал:

 Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны. 

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

Link to comment
Share on other sites

По отзывам хороши 2 SB407 , AL102 / видел в продаже на авито.

Кто то отзывался что на наши транзисторы тратить время не стоит. Не считая некторых, П605 к примеру.

Link to comment
Share on other sites

1 hour ago, ДимДимыч said:

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

У 813 достаточно неплохо, граничное 80В при токе коллектора 3А. да и у 806 столько же.
У 813 кристалл раза в два больше. 

Link to comment
Share on other sites

1 час назад, ДимДимыч сказал:

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

Плохо. Очень высокая склонность к вторичному пробою. Резкое падение допустимой мощности рассеивания при напряжении коллектор эмиттер более 15 - 20 В. В общем напряжение питания не рекомендуется делать более чем +-18 В, в случае двухполярного питания или 36 В однополярного.

  • Like (+1) 1
Link to comment
Share on other sites

28 минут назад, BAA сказал:

У 813 достаточно неплохо, граничное 80В при токе коллектора 3А. да и у 806 столько же.
У 813 кристалл раза в два больше. 

Вы путаете допустимое напряжение Uce и зависимость допустимой мощности рассеивания от напряжения Uce. Так вот у транзисторов ГТ806, ГТ813 допустимая мощность катастрофически падает при Uce более 15 В. 

Link to comment
Share on other sites

26 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Вы путаете допустимое напряжение Uce и зависимость допустимой мощности рассеивания от напряжения Uce. Так вот у транзисторов ГТ806, ГТ813 допустимая мощность катастрофически падает при Uce более 15 В. 

И что у нас такое Область Безорасной Работы? Именно, устойчивость ко вторичному пробою при пропускании тока при напряжении на КЭ.
Граничное не совсем то же, но кореллируется с ОБР. Графиков, к сожалению не нашел.

Link to comment
Share on other sites

1 час назад, BAA сказал:

 Графиков, к сожалению не нашел.

Именно, только по ним можно посмотреть область ОБР.

Я от Владимира услышал то что мне и Бокарёв объяснил.

   И кстати 806 по ОБР лучше чем 813, хотя по мощностным параметра вроде как 813 лучше.

Не знаю согласится ли с этим Владимир.

Link to comment
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

×
×
  • Create New...