Jump to content

Усилители на германиевых транзисторах

Valinor

By Valinor
in Semiconductor

 Share

Recommended Posts

sova Local

sova

Posted
Posted
1 минуту назад, BAA сказал:

Давайте уже про германий.

А я про что? Стремится к 2 полярке на усилителях на германии, совсем не обязательно , а по мне так и вредно. 

  • Like (+1) 1
  • Hmm... (-1) 1
  • Replies 874
  • Created
  • Last Reply

Top Posters In This Topic

Popular Days

Top Posters In This Topic

Popular Days

Popular Posts

Климентий
Климентий

Собрал... 

Климентий
Климентий

Именно так... Еще не живу... Но строю дом... И одну комнату спроектировал исключительно для музыки иихобби... 

Sergio
Sergio

И мой германиевый проект двигается потихоньку

Posted Images

BAA Master

BAA

Posted
Posted
6 minutes ago, sova said:

А я про что? Стремится к 2 полярке

Я ея и не предлагал, скорее 2 ОК с нагрузкой в виде источника тока и мостовым подключением нагрузки.

Владимир Перепелкин Veteran

Владимир Перепелкин

Posted
Posted
2 минуты назад, BAA сказал:

Я ея и не предлагал, скорее 2 ОК с нагрузкой в виде источника тока и мостовым подключением нагрузки.

Для дохлых к перегреву транзисторов это перебор. Такое дело только для кремниевых безнаказанно проходит.

BAA Master

BAA

Posted
Posted
6 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Такое дело только для кремниевых безнаказанно проходит.

Одна из причин почему германий вымер?

Владимир Перепелкин Veteran

Владимир Перепелкин

Posted
Posted
25 минут назад, BAA сказал:

Нет и не надо. Всё, померла так померла.

Поэтому и будет схемотехника а-ля интегральная, начала кремниевой веры, без PNP.  Но новее чем Худ.

А кому легко? Элементная база определяет схемотехнику. В природе существуют германиевые НЧ сплавные с Uce 30 - 40 В NPN и PNP, ВЧ конверсионные с Uce 30 -45 В PNP, мощные НЧ сплавные PNP и один тип NPN (ГТ705) и ВЧ PNP диффузионно сплавные с Uce более 30 В.

ВЧ NPN диффузионно сплавные  c Uce более 15-20 В на германии видимо технологически невозможны. Я по крайне мере таких не знаю. Ни производства СССР ни зарубежного.

Владимир Перепелкин Veteran

Владимир Перепелкин

Posted
Posted
5 минут назад, sova сказал:

Одно дело выбрать режимы, и подобрать акт элементы,  не плодя сущностей,  то есть дополнительных , элемнентов . И другое , удваивать комплектацию да еще и с параллельными путями сигнала. 

Не надо нести всякий бред.

Я выложил здесь доработанного Филина, соберите платку проведите сравнения с вашими винтажиками. Если нужна топология платы  - выложу платы.

BAA Master

BAA

Posted
Posted
2 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Основная причина по которой германий вымер это отсутствие нерастворимого в воде окисла. Отсутствие такого окисла не позволяет использовать планарную технологию.

SiGe оперы вполне даже пользовал.

Владимир Перепелкин Veteran

Владимир Перепелкин

Posted
Posted
6 минут назад, BAA сказал:

SiGe оперы вполне даже пользовал.

Экономически не очень выгодно. Нужно только для чего нибудь очень высокочастотного. У таких ОУ слишком низкие напряжения питания. На кремнии для нашей области применения проще и дешевле. и насколько я понимаю технологию основные операции совершались на кремнии под пленками оксида, а германиевые эмиттеры формировались на заключительных стадиях процесса. Тогда можно обойтись без пленки оксида германия. 

BAA Master

BAA

Posted
Posted
24 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Тогда можно обойтись без пленки оксида германия. 

Там скорее гетеро.
В карбиде тоже окисел не тот, да и в нитриде изолятор другой.
В биполярном оксида не надо. PECL он никак не КМОП.

Владимир Перепелкин Veteran

Владимир Перепелкин

Posted
Posted
Только что, BAA сказал:

Там скорее гетеро.
В карбиде тоже окисел не тот, да и в нитриде изолятор другой.
В биполярном оксида не надо. PECL он никак не КМОП.

В биполярном надо. При тройной диффузии сначала на эпитаксиальной пленке формируют окисел, потом вскрывают окна и формируют базо-эмиттерные области и высокоомную часть коллектора. Потом опять окисляют вскрывают окна и формируют металлизацию для выводов базы и эмиттера. Это упрощенное описание техпроцесса КТ8101 КТ8102. 

Владимир Перепелкин Veteran

Владимир Перепелкин

Posted
Posted
6 минут назад, Владимир Перепелкин сказал:

В биполярном надо. При тройной диффузии сначала на эпитаксиальной пленке формируют окисел, потом вскрывают окна и формируют базо-эмиттерные области и высокоомную часть коллектора. Потом опять окисляют вскрывают окна и формируют металлизацию для выводов базы и эмиттера. Это упрощенное описание техпроцесса КТ8101 КТ8102. 

Про технологию карбидных транзисторов не знаю. Но используется в качестве изолятора и междуоперационной маски то же что то нерастворимое в воде. 

BAA Master

BAA

Posted
Posted

Послушайте, травить можно плазмой, и маску делать не оксидную - оно типа зачем. Все делается для подешевле.

Владимир Перепелкин Veteran

Владимир Перепелкин

Posted
Posted

Конечно можно. Было даже несколько планарных NPN транзисторов на германии, один тип точно знаю ГТ311. Но там какой то затык с напряжением Uce. Высоковольтные и высокочастотные не получаются. На кремнии проще и дешевле. И ОБР у кремниевых шире. Для мощного транзистора один из важнейших параметров. Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны. 

ДимДимыч Mentor

ДимДимыч

Posted
Posted
7 минут назад, Владимир Перепелкин сказал:

 Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны. 

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

sova Local

sova

Posted
Posted

По отзывам хороши 2 SB407 , AL102 / видел в продаже на авито.

Кто то отзывался что на наши транзисторы тратить время не стоит. Не считая некторых, П605 к примеру.

BAA Master

BAA

Posted
Posted
1 hour ago, ДимДимыч said:

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

У 813 достаточно неплохо, граничное 80В при токе коллектора 3А. да и у 806 столько же.
У 813 кристалл раза в два больше. 

Владимир Перепелкин Veteran

Владимир Перепелкин

Posted
Posted
1 час назад, ДимДимыч сказал:

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

Плохо. Очень высокая склонность к вторичному пробою. Резкое падение допустимой мощности рассеивания при напряжении коллектор эмиттер более 15 - 20 В. В общем напряжение питания не рекомендуется делать более чем +-18 В, в случае двухполярного питания или 36 В однополярного.

  • Like (+1) 1
Владимир Перепелкин Veteran

Владимир Перепелкин

Posted
Posted
28 минут назад, BAA сказал:

У 813 достаточно неплохо, граничное 80В при токе коллектора 3А. да и у 806 столько же.
У 813 кристалл раза в два больше. 

Вы путаете допустимое напряжение Uce и зависимость допустимой мощности рассеивания от напряжения Uce. Так вот у транзисторов ГТ806, ГТ813 допустимая мощность катастрофически падает при Uce более 15 В. 

BAA Master

BAA

Posted
Posted
26 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Вы путаете допустимое напряжение Uce и зависимость допустимой мощности рассеивания от напряжения Uce. Так вот у транзисторов ГТ806, ГТ813 допустимая мощность катастрофически падает при Uce более 15 В. 

И что у нас такое Область Безорасной Работы? Именно, устойчивость ко вторичному пробою при пропускании тока при напряжении на КЭ.
Граничное не совсем то же, но кореллируется с ОБР. Графиков, к сожалению не нашел.

ДимДимыч Mentor

ДимДимыч

Posted
Posted
1 час назад, BAA сказал:

 Графиков, к сожалению не нашел.

Именно, только по ним можно посмотреть область ОБР.

Я от Владимира услышал то что мне и Бокарёв объяснил.

   И кстати 806 по ОБР лучше чем 813, хотя по мощностным параметра вроде как 813 лучше.

Не знаю согласится ли с этим Владимир.

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

×
 Share
Go to topic listing

  • Recently Browsing   0 members

    • No registered users viewing this page.

  • Клубы

  • Сообщения

    • Buran81
      Прошу совета

      By Buran81 · Posted

      Так я  это и говорю.  Но на форумах ,то тут то там ,хотят упорно  мнения что эти две индукции надо складывать ,попадая в максимально разрешенную на данный материал. Даже так наз. "эксперты" были в этом зачюмечены.Пишут мол раз линейный участок стали это 1Тл , то надо сделать зазор в 0.5  и на переменную составляющую тоже 0.5 . Видать с молодости попривыкли к двум по ноль пять ..так и пошло.. А на самом деле ,как и в  тех.литер. написано,правильный зазор он строго определённый...Ну а переменная индукция выбирается  про мере приемлемых искажений. Т.е  при прочих равных для какой нибудь 6с33с или гирлянды из 6с19п  оно может быть выбрана большей ,чем например для 211 или 833...просто по причине меньшего значения внутр.сопротивления первых.
    • Kroul
      Прошу совета

      By Kroul · Posted

      Беда, коль пироги начнёт печи сапожник...
    • BAA
      Прошу совета

      By BAA · Posted

      Нет, оно будет работать при большем токе намагничивания, при прочих равных. Продолжаем. Надо взять найденные витки и умножить на коэффициент заполнения, от 0,4 до 0,6 и сечение одного провода. Последнее зависит от допустимой плотности тока, которое бывает от 3,5 до 6 и собственно тока через обмотку. Получим требуемое сечение окна. Итого есть площадь окна, площадь сечения сердечника, длина магнитной линии, зазор, число витков, сечение провода. Если самодельщик купит нужное количество сердечников нужного типоразмера в ближайшем супермаркете... В который раз, калькуляторы от производителей. Например <<Core Design Tools : Amorophous Products : Hitachi Metals>> DC Reactor Tool Кстати, из ручных способов достаточно простой способ описан у Володина. РАСЧЁТ ДРОССЕЛЯ В.Я. Володин. И для "оптимальных зазоров" ПРОЕКТИРОВАНИЕ ОПТИМАЛЬНЫХ СГЛАЖИВАЮЩИХ ДРОССЕЛЕЙ Методическое пособие по курсовому проектированию. Н.И.Кузебных Там не учился, но похоже на правду.
    • Sergio
      Прошу совета

      By Sergio · Posted

      И для фильтрации с допустимыми пульсациями надо будет ставить ёмкость в десятки тысяч мкФ .
    • Катана
      Радиолампы японские

      By Катана · Posted

      ес 360х нет , все высыпал что было . ....................................................................................................................................................................... 6п3с 14шт.фотон , 5шт. рефлектор - одним лотом - 5т.р.    
    • telemaster2007
      Радиолампы японские

      By telemaster2007 · Posted

      EC360 случайно нет еще. Тоже нужны.
    • немой
      Прошу совета

      By немой · Posted

      Да ни кто не цепляется ... просто решил уточнить после Вашего столь без опеляционного утверждения про П фильтр только и всего ...  П.С. про определённые обстоятельства уточнять доп вопросом не стал ... думаю сами добавите .
    • Алексей
      Прошу совета

      By Алексей · Posted

      Не к чему к словам цепляться. Вы прекрасно понимаете, что малое допустимое переменное напряжение на обмотке предполагает их использование в П фильтре. Но кто ж вам запретит использовать их и в Г фильтре при определенных обстоятельствах? 
    • немой
      Прошу совета

      By немой · Posted

      Говорите/пишите прямо ... а что и кто кому намекает это другая тема ...
    • Алексей
      Прошу совета

      By Алексей · Posted

      Допустимая переменная составляющая напряжения как бы намекает...
    • Алексей
      Прошу совета

      By Алексей · Posted

      Кстати интересный момент с проницаемостью и Во, чем лучше железо, тем больше придется делать зазор, и итоговая проницаемость все равно небольшая будет, так что сильно раскошеливаться на дорогое железо для работы со значительным подмагничиванием, имхо, не стоит. Поправьте, если ошибаюсь.
    • немой
      Прошу совета

      By немой · Posted

      А про П( именно ) фильтр .... 
    • Stan Marsh
      Прошу совета

      By Stan Marsh · Posted

      В ДШ, например:  
    • BAA
      Прошу совета

      By BAA · Posted

      H0=I*W/lm. B0=mu*mu0*H. L=mu*mu0*4*Pi*1e-7*S*w^2/lm. Осталось засунуть зазор в виде приблизительного отношения mu=lm/d и обсчитаться. Что уже сделано. Иногда с учетом нелинейности материала. Относительно переменки. При 80 Вт на нагрузке, граница непрерывного тока будет при  0,55 Гн. Амплитуда первой гармоники выпрямленного на дросселе при 230 действующего - 135В, второй - 27. Считайте много это или мало.
    • немой
      Прошу совета

      By немой · Posted

      А где это написано ... возможно прочитать ...:

  • Forum Statistics

    • Total Topics
      10.5k
    • Total Posts
      112.4k
×
×
  • Create New...