Усилители на германиевых транзисторах

[sova]

1 минуту назад, BAA сказал:

Давайте уже про германий.

А я про что? Стремится к 2 полярке на усилителях на германии, совсем не обязательно , а по мне так и вредно. 

[BAA]

6 minutes ago, sova said:

А я про что? Стремится к 2 полярке

Я ея и не предлагал, скорее 2 ОК с нагрузкой в виде источника тока и мостовым подключением нагрузки.

[Владимир Перепелкин]

2 минуты назад, BAA сказал:

Я ея и не предлагал, скорее 2 ОК с нагрузкой в виде источника тока и мостовым подключением нагрузки.

Для дохлых к перегреву транзисторов это перебор. Такое дело только для кремниевых безнаказанно проходит.

[BAA]

6 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Такое дело только для кремниевых безнаказанно проходит.

Одна из причин почему германий вымер?

[Владимир Перепелкин]

25 минут назад, BAA сказал:

Нет и не надо. Всё, померла так померла.

Поэтому и будет схемотехника а-ля интегральная, начала кремниевой веры, без PNP.  Но новее чем Худ.

А кому легко? Элементная база определяет схемотехнику. В природе существуют германиевые НЧ сплавные с Uce 30 - 40 В NPN и PNP, ВЧ конверсионные с Uce 30 -45 В PNP, мощные НЧ сплавные PNP и один тип NPN (ГТ705) и ВЧ PNP диффузионно сплавные с Uce более 30 В.

ВЧ NPN диффузионно сплавные  c Uce более 15-20 В на германии видимо технологически невозможны. Я по крайне мере таких не знаю. Ни производства СССР ни зарубежного.

[Владимир Перепелкин]

5 минут назад, sova сказал:

Одно дело выбрать режимы, и подобрать акт элементы,  не плодя сущностей,  то есть дополнительных , элемнентов . И другое , удваивать комплектацию да еще и с параллельными путями сигнала. 

Не надо нести всякий бред.

Я выложил здесь доработанного Филина, соберите платку проведите сравнения с вашими винтажиками. Если нужна топология платы  - выложу платы.

[BAA]

2 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Основная причина по которой германий вымер это отсутствие нерастворимого в воде окисла. Отсутствие такого окисла не позволяет использовать планарную технологию.

SiGe оперы вполне даже пользовал.

[Владимир Перепелкин]

6 минут назад, BAA сказал:

SiGe оперы вполне даже пользовал.

Экономически не очень выгодно. Нужно только для чего нибудь очень высокочастотного. У таких ОУ слишком низкие напряжения питания. На кремнии для нашей области применения проще и дешевле. и насколько я понимаю технологию основные операции совершались на кремнии под пленками оксида, а германиевые эмиттеры формировались на заключительных стадиях процесса. Тогда можно обойтись без пленки оксида германия. 

[BAA]

24 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Тогда можно обойтись без пленки оксида германия. 

Там скорее гетеро.
В карбиде тоже окисел не тот, да и в нитриде изолятор другой.
В биполярном оксида не надо. PECL он никак не КМОП.

[Владимир Перепелкин]

Я тоже слушал. и это не винтажик.

[Stan Marsh]

Про параметры, их связь со звуком и прочее перенесено сюда: 

 

[Владимир Перепелкин]

Только что, BAA сказал:

Там скорее гетеро.
В карбиде тоже окисел не тот, да и в нитриде изолятор другой.
В биполярном оксида не надо. PECL он никак не КМОП.

В биполярном надо. При тройной диффузии сначала на эпитаксиальной пленке формируют окисел, потом вскрывают окна и формируют базо-эмиттерные области и высокоомную часть коллектора. Потом опять окисляют вскрывают окна и формируют металлизацию для выводов базы и эмиттера. Это упрощенное описание техпроцесса КТ8101 КТ8102. 

[Владимир Перепелкин]

6 минут назад, Владимир Перепелкин сказал:

В биполярном надо. При тройной диффузии сначала на эпитаксиальной пленке формируют окисел, потом вскрывают окна и формируют базо-эмиттерные области и высокоомную часть коллектора. Потом опять окисляют вскрывают окна и формируют металлизацию для выводов базы и эмиттера. Это упрощенное описание техпроцесса КТ8101 КТ8102. 

Про технологию карбидных транзисторов не знаю. Но используется в качестве изолятора и междуоперационной маски то же что то нерастворимое в воде. 

[BAA]

Послушайте, травить можно плазмой, и маску делать не оксидную - оно типа зачем. Все делается для подешевле.

[Владимир Перепелкин]

Конечно можно. Было даже несколько планарных NPN транзисторов на германии, один тип точно знаю ГТ311. Но там какой то затык с напряжением Uce. Высоковольтные и высокочастотные не получаются. На кремнии проще и дешевле. И ОБР у кремниевых шире. Для мощного транзистора один из важнейших параметров. Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны. 

[ДимДимыч]

7 минут назад, Владимир Перепелкин сказал:

 Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны. 

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

[sova]

По отзывам хороши 2 SB407 , AL102 / видел в продаже на авито.

Кто то отзывался что на наши транзисторы тратить время не стоит. Не считая некторых, П605 к примеру.

[BAA]

1 hour ago, ДимДимыч said:

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

У 813 достаточно неплохо, граничное 80В при токе коллектора 3А. да и у 806 столько же.
У 813 кристалл раза в два больше. 

[sound]

1Т813 покруче будет.

 

[BAA]

7 minutes ago, sound said:

покруче

На человечьем: Кристалл в два раз больше ;-)

[юрий робертович]

И где они разные?

[Владимир Перепелкин]

1 час назад, ДимДимыч сказал:

Владимир! А скажи мне как дела с ОБР у 1Т806А ?

Ну и заодно уж и 1Т813.....

Такая просьба у меня.

Плохо. Очень высокая склонность к вторичному пробою. Резкое падение допустимой мощности рассеивания при напряжении коллектор эмиттер более 15 - 20 В. В общем напряжение питания не рекомендуется делать более чем +-18 В, в случае двухполярного питания или 36 В однополярного.

[Владимир Перепелкин]

28 минут назад, BAA сказал:

У 813 достаточно неплохо, граничное 80В при токе коллектора 3А. да и у 806 столько же.
У 813 кристалл раза в два больше. 

Вы путаете допустимое напряжение Uce и зависимость допустимой мощности рассеивания от напряжения Uce. Так вот у транзисторов ГТ806, ГТ813 допустимая мощность катастрофически падает при Uce более 15 В. 

[BAA]

26 minutes ago, Владимир Перепелкин said:

Вы путаете допустимое напряжение Uce и зависимость допустимой мощности рассеивания от напряжения Uce. Так вот у транзисторов ГТ806, ГТ813 допустимая мощность катастрофически падает при Uce более 15 В. 

И что у нас такое Область Безорасной Работы? Именно, устойчивость ко вторичному пробою при пропускании тока при напряжении на КЭ.
Граничное не совсем то же, но кореллируется с ОБР. Графиков, к сожалению не нашел.

[ДимДимыч]

1 час назад, BAA сказал:

 Графиков, к сожалению не нашел.

Именно, только по ним можно посмотреть область ОБР.

Я от Владимира услышал то что мне и Бокарёв объяснил.

   И кстати 806 по ОБР лучше чем 813, хотя по мощностным параметра вроде как 813 лучше.

Не знаю согласится ли с этим Владимир.