Jump to content

Recommended Posts

Posted

 

8 часов назад, KAI сказал:

Зависимость ёмкости от квадрата разности потенциалов, что новенькое

это придумал не я 

 

image.png.20ac4874fded757380b4800c09d62696.png

  Е.Камисоров   так же называет 

Смысл Сф   есть старческая ёмкость  измеряемая приборам между первичкой и вторичкой например 2000пф   для картинки с экраном входная ёмкость будет без экрана 2000*1,0625=2125пф с экраном

2000*0,75=1500пф  в случаи разделения на три равных секции  2000*0,6534=1307пф но в последнем случае Lрас значительно больше чем в 0,25  -  0,5  - 0,25

Всё это если толщина изоляции между первичкой и вторичкой одинаковая по толщине

 

  • Like (+1) 1
Posted
33 минуты назад, nepalimso сказал:

 

это придумал не я 

 

image.png.20ac4874fded757380b4800c09d62696.png

  Е.Камисоров   так же называет 

Смысл Сф   есть старческая ёмкость  измеряемая приборам между первичкой и вторичкой например 2000пф   для картинки с экраном входная ёмкость будет без экрана 2000*1,0625=2125пф с экраном

2000*0,75=1500пф  в случаи разделения на три равных секции  2000*0,6534=1307пф но в последнем случае Lрас значительно больше чем в 0,25  -  0,5  - 0,25

Всё это если толщина изоляции между первичкой и вторичкой одинаковая по толщине

 

 

Что то не понимаю эти игры разума. 

Сф это не ёмкость, а какой то коэффициент. 

Ёмкость от разности потенциалов между слоями не меняется, а зависит от геометрии и материала диэлектрика. 

 

Posted
5 часов назад, Алексей сказал:

Появилась же еще ёмкость нижней секции первички на экран (0,75-0,5)^2, итого добавится ещё 0,063, что в общем-то менее 10% полученной

Да это так но это уже будет распределённая ёмкость первички  С1 

Но распределённая ёмкость первички  даже для очень больших трансформаторах имеет маленькое значение  по сравнению с С1-2

 

Posted
1 час назад, KAI сказал:

Ёмкость от разности потенциалов между слоями не меняется, а зависит от геометрии и материала диэлектрика

Да это так но многие не понимают разницу между Сст 1-2  - ёмкость между первичкой и вторичкой измеряемой прибором и С д 1-2  ёмкость  которая  вычисляется с помощью  коэффициента Сф  Нас интересует только Сдинамическая 1-2

Posted
6 минут назад, nepalimso сказал:

Да это так но это уже будет распределённая ёмкость первички  С1 

Но распределённая ёмкость первички  даже для очень больших трансформаторах имеет маленькое значение  по сравнению с С1-2

 

Распределенная емкость первички считается также для каждой секции и они считаются включенными последовательно? Если экран с одной стороны на первичку добавляет лишь к распределенной емкости, да и пусть, главное, что на вторичку емкость сильно меньше, экран же "экранирует" и разность переменных потенциалов на границах можно сделать нулевой, если переменные потенциалы первички и экрана будут равны, разьве не так?

Posted
8 минут назад, nepalimso сказал:

Да это так но многие не понимают разницу между Сст 1-2  - ёмкость между первичкой и вторичкой измеряемой прибором и С д 1-2  ёмкость  которая  вычисляется с помощью  коэффициента Сф  Нас интересует только Сдинамическая 1-2

Сд можно измерить? 

Posted
15 минут назад, KAI сказал:

Сд можно измерить? 

Можно рассчитать, зная статическую и распределение потенциалов между секциями. Трансформатор же не в статике у вас работает, зачем вам статическая емкость между обмотками?

Posted
33 минуты назад, KAI сказал:

Сд можно измерить?

В  готовом тр   измерить только Сд 1-2 я не представляю как но можно измерить С входную тр или С шунта  но в эту ёмкость входят все ёмкости которые есть  в тр  приведённые к входу 

Posted
1 час назад, Алексей сказал:

Можно рассчитать, зная статическую и распределение потенциалов между секциями. Трансформатор же не в статике у вас работает, зачем вам статическая емкость между обмотками?

Не знаю насколько общепринято обозначение Сдинамическое. Но она всегда будет меньше статический. 

Если трансформатор  удовлетворяет заданным требованиям со статический емкостью, то находить динамическую смысла не будет. 

Posted
24 минуты назад, KAI сказал:

Не знаю насколько общепринято обозначение Сдинамическое. Но она всегда будет меньше статический. 

Если трансформатор  удовлетворяет заданным требованиям со статический емкостью, то находить динамическую смысла не будет. 

Это еще откуда взялось, что Сд всегда меньше Сст?

Posted
38 минут назад, Алексей сказал:

Это еще откуда взялось, что Сд всегда меньше Сст?

Вы правы, Сд не может быть меньше Сст, как и не может быть больше. 

Сд вообще не ёмкость в обще принятом понимании этого термина. 

 

Posted
28 минут назад, KAI сказал:

Вы правы, Сд не может быть меньше Сст, как и не может быть больше. 

Сд вообще не ёмкость в обще принятом понимании этого термина. 

 

Почему, по вашему, в бифилярном трансформаторе влияет подключение вторички, начало на общий(смещение) или конец? Трансформатор же один и тот же и статическая емкость его и индуктивность рассеивания  не изменились... А полоса кратно отличается.

Posted
В 17.11.2023 в 19:12, Алексей сказал:

Почему, по вашему, в бифилярном трансформаторе влияет подключение вторички, начало на общий(смещение) или конец? Трансформатор же один и тот же и статическая емкость его и индуктивность рассеивания  не изменились... А полоса кратно отличается.

На работу трансформатора влияет не ёмкость, а энергия накопленная в ёмкости. Величина этой энергии зависит от значения ёмкости, которая практически не будет изменяться, и квадрата разности потенциала между проводами, который по длине между проводами при различном подключении будет распределяться по разному. Поэтому в ёмкости при разном подключении будет больше или меньше энергии, что и влияет на работу трансформатора. 

 

 

 

 

  • Like (+1) 1
Posted
5 минут назад, Алексей сказал:

Те полосу крадет меньшая энергия? Ещё чуть-чуть и получится определение динамической ёмкости ;)

Полосу крадет бОльшая энергия. А так называемая динамическая емкость будет постоянно меняться вместе с напряжением на обмотке трансформатора. 

Posted

Сд1-2 я бы определил так - ёмкость приведенная к входным клеймам трансформатора от статической ёмкости между первичкой и вторичкой 

Входную емкость тр так же нельзя измерить прибором  но можно измерить  косвенно по частоте среза  схема простая                С=1/(2пRf)

image.png.056cfcf26ea73c85aea5caefb8bfc6a4.png

 

 

 

Posted
9 минут назад, nepalimso сказал:

Сд1-2 я бы определил так - ёмкость приведенная к входным клеймам трансформатора от статической ёмкости между первичкой и вторичкой 

Входную емкость тр так же нельзя измерить прибором  но можно измерить  косвенно по частоте среза  схема простая                С=1/(2пRf)

image.png.056cfcf26ea73c85aea5caefb8bfc6a4.png

 

 

 

Как будете измерять Сд, если она зависит от приложенного напряжения к трансформатору. Каждому значению этого напряжения будет соответствовать своя ёмкость. 

Вообще то, смысл секционирования обмоток и  заключается в снижении энергии в межобмоточной ёмкости. Поэтому оптимальное количество секций для низковольтных трансформаторов меньше чем для высоковольтных.

Posted

Если Сд зависит от напряжения, то почему влияние емкости значимо только на высших частотах? Ведь максимум по напряжению наблюдается на сч, на которых влияние С, как и Ls, сильно меньше, чем на вч.

Posted
2 часа назад, KAI сказал:

Как будете измерять Сд, если она зависит от приложенного напряжения к трансформатору

Ёмкость есть ёмкость и она не как не зависит от напряжения  просто зарядить ёмкость скажем 1000пф до 1в  до 100в  или до 1000в большая разница.

 

Posted
3 часа назад, KAI сказал:

заключается в снижении энергии в межобмоточной ёмкости. Поэтому оптимальное количество секций для низковольтных трансформаторов меньше чем для высоковольтных.

Мне кажется наоборот больше секций больше переходов 1-2  больше Сст больше  Свходная .  Для 211 трансформатор 3-2 Lрас большое  Свх маленькое   для  3-х 6с19п как у Макарова слой секция  маленькая  Lрас  большая  входная емкость   около 5000пф    . если к такому тр подключить 211 там всё на 8кГц закончиться

  • Like (+1) 1
Posted
1 час назад, Алексей сказал:

Если Сд зависит от напряжения, то почему влияние емкости значимо только на высших частотах? Ведь максимум по напряжению наблюдается на сч, на которых влияние С, как и Ls, сильно меньше, чем на вч.

Ещё раз скажу, что Сд не существует. Поэтому она не может ни от чего зависить. Есть Смежобмоточная, заряд (энергия) которой  зависимости от разности потенциалов между витками проводов обмоток. 

Популярно влияние энергии Смежобмоточной в зависимости от частоты можно  объянить так:

Нарисуем на графике рядом два полупериода разной частоты и одинаковой амплитуда. Заштрихуем полупериоды  внутри, заштрихованные области покажут соотношение содержания энергии в полупериодах разной частоты. Так как энергии в высокочастотном полупериода будет меньше, то и влияние энергии С межобмоточной на него будет больше. 

 

Posted

Что происходит когда вторичку отключаем от земли?

1 час назад, KAI сказал:

Смежобмоточной

А это что такое  как измерить? или это Сст

Нас по большому счету интересует  ёмкость коротая шунтирует Rа  на схеме замещения тр стоит  параллельно Rа

и fрез, при каких условиях резонанса нет

  • 1 month later...
Posted
В 27.03.2022 в 19:12, Buran81 сказал:

Пара не больших СЕ  ТВЗ для 845лампы.

10К на 4 и 8ом

И кое какие картинки с измерениями искажений на разной мощности и частоте.

20211119_231504.thumb.jpg.48682ae5954c7067e24e99f0b408e4c0.jpg1060606132_1584520V-spec..thumb.png.d32109f7f9e61e7e0d28bba85642bea6.png698869632_1584530V-spec..thumb.png.85ca15b7336388454d581638da6260ce.png1416738115_1584550V-spec..thumb.png.7f2ed0bd3c62ac973cea72a42ff97d24.png249545497_158451000V-spec..thumb.png.15e4b607cd2aafb2f4cb7531acce80f1.png1944605580_208451000V-spec..thumb.png.539cbad7674bb1066234a6e85b56eb1e.png978466384_2084550V-spec..thumb.png.42cb6d06978f25587ae5dd8ba67ae28e.png1177348891_2084530V-spec..thumb.png.b36791f254b3b4527813e89f5d4bf152.png958722648_2084520V-spec..thumb.png.8cce068ef5336e6cda7a2ea87a0a94b1.png526949481_2084520V-spec..thumb.png.a2d5819cc5b169b6a6c37278389d92b3.png

 

Подскажите, что на последнем фото за искажения синусоиды? Из за чего это ?

Posted
5 hours ago, Виталий1982 said:

Из за чего это ?

Судя по частоте - от тока намагничивания.

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

  • Recently Browsing   0 members

    • No registered users viewing this page.

  • Клубы

  • Сообщения

    • У меня всегда один канал осциллографа показывает продукты искажений с выхода ИНИ. Даже обычный С6-5 сильно облегчает жизнь. А небольшая доработка расширяет диапазон измеряемых искажений примерно 0,0005%, ниже приблематично, сильно шумит.
    • ...в смысле: самый простой из сверхлинейных, а не "хуже жлх". На самом деле, ВВС-2011 переиграл кучу весьма дорогих ламповых поделий: ht tps://ldsound.club/threads/vvs-2011-um-nachal-nogo-urovnya.2568/post-405095. И ты об этом знаешь. 
    • Лучше быть богатым и здоровым, чем бедным и больным. 
    • Кстати, это очень хорошо, так как в искажометрах существовал канал вывода искажений на осциллограф, и можно было совмещением изображений усиленного сигнала и гармоник понять, где и почему ломается синус. 
    • Иногда лекарство хуже болезни.
    • Которая задана в ОУ инженерами на заводе и о которой никто ничего не говорил.  А вот с этим можно уверенно спорить. Добавляем следящую ОС по питанию ОУ (или той его половины, куда смотрят стоки применённых на входе ПТ - полуслежение), пропадает как входная ёмкость полевиков, так и её нелинейность. 
    • Нету абстрактного понятия "лучше-хуже", но есть конкретное: лучше именно для этого места/применения. Вот с этим в ОУ очень хорошо: зная наперёд все требования к транзисторам: рабочие токи, напряжения, рассеиваемые мощности можно выбрать соотв. размер структуры на кристалле. Зная назначение транзистора: входной, малошумящий или выходной и режимы его работы, можно придать ему требуемые свойства - снизить шумы, повысить бету. Но я говорил не об этом. Нас интересует аудиокачество ОУ, а оно складывается и из малошумности, и из исходной линейности ОУ, и из полосы его рабочих частот до фед, от которой, в силу треугольной формы АЧХ ОУ, зависит усиление на каждой данной частоте звукового диапазона. А вот с этим последним у ОУ туго, именно в силу треугольной АЧХ: чтобы получить какие-то неунизительные усиления в звуковом диапазоне, надо забрасывать фед как можно выше, применяя как можно меньшие, высокочастотные транзисторные структуры, что настолько вступает в противоречие с требованием выходной мощности ОУ, что ею приходится жертвовать, выбирая пониженные напряжения питания, как для AD8055/AD8056, по 5 в в плечо. Одиночные ОУ выручают, если допустимы посредственные результаты и неохота ничем думать.   А вот с изготовитель дискретов не знает наперёд назначения его приборов, потому должен выпускать их с разбивкой на категории по мощности, но не ниже 100 мВт (кроме специальных транзисторов для гибридных ИМС). Больше мощность - больше  Скб прибора, ниже фт. Казалось бы, трудно на относительно низкочастотных транзисторах получить требуемое высокое усиление для глубокой ООС. Ан нет. Тут на помощь приходит ценнейшее свойство дискретов и некоторых ОУ ранних выпусков: возможность применять собственные цепи коррекции, которые формируют высокое усиление в звуковом диапазоне и быстрый его спад на частотах, для транзисторов недоступных.  Но над этим надо думать, необходимость чего и есть преимуществом электроники. 
    • Нет.    Верно, в авторском тексте есть обоснование такого выбора.     
    • Значит не внимательно читали, по цоколевке не совпадают, сетки с анодом надо соединять, иначе одна сетка работает как анод, долго не протянет.
    • Хорошо. Прозвучит. Искажения резистора - это следствие нелинейной ВАХ: зависимости сопротивления (и тока) от приложенного напряжения, тока, а также от рассеиваемой мощности и температуры. Для победы над указанными зависимостями надо снижать прилагаемые к резистору напряжения, ограничивать токи, рассеиваемые мощности и температуры.  Если знать, что делать, далее - просто: наименее важна линейность резисторов в устройствах автоматики, наиболее важна - в цепи ООС. Для снижения напряжения на резисторе при имеющемся коэффициенте напряжения Ку надо включать резисторы последовательно. То же самое снижает рассеиваемую мощность и температуру резистора, позволяя при заданном Ткс добиться приемлемой линейности сужением диапазонов рассеиваемых мощностей и температур от сигнала. Также можно использовать резисторы с большой рассеиваемой мощностью, Ткс которых может быть меньше, чем у маломощных. Самый неудобный случай возникает при необходимости пропустить через резисторы большой ток под высоким напряжениям. Тогда для повышения линейности результирующей ВАХ их придётся включить в несколько параллельных ветвей последовательно включенных резисторов.    
    • Для ограничения давно есть спец устройства, от отключателей (AD), транзистор запирается, до Зенеров внутри моста из Шоттки. Последние с малой емкостью и пока закрыты емкость "не видна".  Если не считать входную емкость полевиков, как положено, нелинейную. Хотя диоды, с емкостью на порядок меньше,  есть.
    • Осталось посмотреть чьими "инженерами" созданы ЭРИ из которых усилители сделаны и компы с П/О для способствованию этому. Лет 40 назад. Сейчас никому это не надо. Слушают даже не телевизор или радиву в машине, а телефон, его и смотрят, или комп дома. Вот там инженеры и есть.
  • Forum Statistics

    • Total Topics
      10.2k
    • Total Posts
      108.8k
×
×
  • Create New...