Полевые транзисторы

[Shef]

Alex Torres said:
Кроме класс-Д - ни в каком. Ну тоесть, абсолютно ни в каком.

Я типа того же почти собирался сказать, но на свой лад: вы, камрады, изучали поведение/примение МОСФЕТов для ваших каких-то конкретных применений, а я - для своего.  Мне вот интересен однотакт с дроссесел (из-за изящества, и особенно! из-за отсуЦтвия конского электролита на выходе), а класс Д -нет.

Я признаЮ, что что-то вполне важное "прошло мимо моих глаз" по этой причине, скажем, ПП на МОСФЕТах для меня вообще незнакомая тема.

Я дико извиняюсь за отклонение от темы топика.. может, тов.Модератор отделит посты в отдельную тему, типа, скажем "Мощные МОСФЕТы". Там и продолжим в меру желания.

[Alex Torres]

  On 6/8/2022 at 7:37 PM, Shef said:

вы, камрады, изучали поведение/примение МОСФЕТов для ваших каких-то конкретных применений, а я - для своего. 

Expand  

Не, я просто сами мосфеты изучал, и применял.

  On 6/8/2022 at 7:37 PM, Shef said:

а я - для своего.  Мне вот интересен однотакт с дроссесел

Expand  

Да это неважно - там транзистор в линейном режиме, и Rdson не при делах.

  On 6/8/2022 at 7:37 PM, Shef said:

скажем "Мощные МОСФЕТы

Expand  

Да оно хоть у мощных, хоть у не мощных, хоть у мосфетов, хоть у jfet-ов - все одно и то-же.

[Shef]

"резать, не дожидаясь перитонита!" - ну удалить так удалить, моих каментов тут уже много удалили, одним больще, одним меньше.. в один день это надоест, и "..чтобы похвастаться.." - я ещё не начинал

Alex Torres, с полевиками "ещё не конец" и я таки планирую задать вопросы - вот вы на них и ответите )) как мега-специалист, без иронии, судя по вашим комментариям.

Всё же специализировал бы её как "Мощные МОСФЕТы", т.к., к примеру, вопросы термостабилизации и/ли изменения сопр.открытого канала от температуры в маломощных полевииках ну как-то мало кого интересуют.

Соответственно, JFET-ов мощных мы тоже не наблюдаем в народном конструировании.. отсюда конкретное название темы.

Кстати, можете дать нам вводную по IGBT-там.. что за зверь, чё/почём, вас не затруднИт?

[Ollleg]

  On 6/9/2022 at 5:40 PM, Shef said:

ну удалить так удалить, моих каментов тут уже много удалили

Expand  

Шеф, 2 ком., 2!!! Полит. анекдот. Больше ни одного! Если что потеряли, смотрите здесь;

https://newaudioportal.com/topic/352-споры/#comment-11206

Просили тему, я сделал.

При чём тут Александр?

[Shef]

Ok, Ok, виноват, пжста, перенесИте каммент выше - > туда, удалите этот, и начнём пытать Torres-а на предмет IGBT-ов

[Alex Torres]

IGBT это не мосфет. Зачем он Вам?

Есть еще СИТ, БСИТ (разновидностью которых и являются IGBT), но тема-то о мосфетах.

[ДимДимыч]

  On 6/9/2022 at 6:24 PM, Alex Torres said:

IGBT это не мосфет. Зачем он Вам?

Expand  

 Может Shef какую сварку изобретает.

[BAA]

  On 6/9/2022 at 6:32 PM, ДимДимыч said:

 Может Shef какую сварку изобретает.

Expand  

Всё гораздо хужее.
Если можно BJT каскадом управлять выходными MOSFET-ми , то почему нельзя наоборот. Тем более что граждане из страны в...о солнца всегда знали толк в извращениях и таки звуковые IGBT делали.
DIYAUDIO:EVA
"There are P-channel IGBTs too. The GT20D201/GT20D101 complemantary N/P audio IGBT pair was once available from Toshiba, and a circuit using them was published in Elektor some years ago."

[Shef]

Torres, вот если бы вы в паре абзацев рассказал почему оно не годится в усилители, или всё же в какие-то годится? это было бы класс. А "Зачем он мне?" - это ведь не то, что я спрашивал, вы не находите? И это такой ответ, который вашего участия не то чтобы требует.

Ну хорошо, а вот про это нам расскАжете? TP90H050WS 900V 34A 50mO 1nF

я реально пока не знаю что это за новомодная штуковина. Тестировал ли вы такие? работает ли оно в линейном режиме? (ну, скажем, хотя бы также, как обычные ключевые МОСФЕТы) Полагаю, в истоковом повторителе оно будет ничем не хуже какого-нить IRF / IRFP, какое ваше экспертное мнение?

Я могу, конечно, купить и сам всё попробовать, но вдруг вы уже:

[BAA]

а) Это каскод с trench ключевым транзистором на входе.
б) Я бы подумал про размер кристалла относительно кремниевого эквивалента.
в) Отсутствует встроенный лавинный диод сток-исток, хотя в обратную сторону прибор проводит а вот перенапряжение вряд ли выносит.
Для звуковых целей пробовали GaN c индуцированным каналом, которые бескорпусные.
Кстати все SiC МОП транзисторы есть Baliga pair, то есть каскод по умолчанию.
Пробуйте JFET SiC.

 

[Alex Torres]

  On 6/10/2022 at 1:28 AM, Shef said:

А "Зачем он мне?" - это ведь не то, что я спрашивал, вы не находите?

Expand  

А Вы ничего не спрашивали.

  On 6/10/2022 at 1:28 AM, Shef said:

если бы вы в паре абзацев рассказал почему оно не годится в усилители, или всё же в какие-то годится?

Expand  

Ну раз на IGBT схемы усиителей периодически попадаются, то значит как-то годится.

 

  On 6/10/2022 at 1:28 AM, Shef said:

Ну хорошо, а вот про это нам расскАжете? TP90H050WS 900V 34A 50mO 1nF

Expand  

Ничего не расскажу, я с ними не работал.

  On 6/10/2022 at 1:28 AM, Shef said:

работает ли оно в линейном режиме? (

Expand  

Любой мосфет работает в линейном режиме, только надо на ОБР смотреть. Правда это не совсем "обычный", но скорее всего тоже будет.

  On 6/10/2022 at 1:28 AM, Shef said:

Полагаю, в истоковом повторителе оно будет ничем не хуже какого-нить IRF / IRFP, какое ваше экспертное мнение?

Expand  

Может быть, попробуйте и расскажете.

А Вам обязателно нужно на 900 вольт?

 

  

  On 6/10/2022 at 5:31 AM, BAA said:

Отсутствует встроенный лавинный диод сток-исток

Expand  

В смысле?

[Shef]

Нет, IGBT я серьёзно не рассматривал, по крайней мере для однотакта. Действительно, лет 5 назад наткнулся где-то на схему мощного сабвуфера на них на каком-то огромном динамике, подумал "а пуркуя бы и не па"... но на этом всё.

Нет, 900 вольт мне не нужно. Я когда (год назад) искал в Маузере "чё бы такое купить" в этот свой однотактник, обратил внимание, что появился ассортимент этих каскодных HEMT-MOSFET, по-меньшей мере штук 20, но сохранил даташит почему-то только на этот. СогласИтесь, 1 нанофарада при сочетании остальных характеристик - очень неплохо для наших целей!

Тем временм пробовал всё что валялось в тумбочке, пока не наткнулся на древний тошибовский 2SK2607.. поставил в макет и заслушался. Потом подумал, Не, надо что-то посовременнее прикупить, да и этот SK всего один, где их потом брать? Ждать доставки не хотелось, поэтому в местном магазе по $4 нашлись (оригинальные! IR-овские, походу остатки) IRFP150N 100V 40A 36мO 1,9nF - с ними всё отлично, но.. поставил этот SK назад, и так вот он до сих пор и играет.

OK, при следующей закупке в Маузере попробую этот TP90H050WS нo это очень нескоро, в планах добить наконец уже ПП-долгострой и есть пара других запланированных дел. Купить и вставить в макет - это недолго, проблема в том, что остальные дела окажутся заброшены.. поэтому, нет, не сейчас.

Конечно, вы прав, что Rdson некритично для усилителей в линейном режиме.. но НЕ для этой схемы SE с нагр.дросселем.

Конкретно в ней чем оно меньше - тем меньше минимальная допустимая индуктивность дросселя при условии какой-то желаемой нижней частоты. Об этом Броски кратко высказался в своей статье 2012 г. Пришлось с этим разобраться. В частности, при 50 миллиомах достаточная индуктивность получается 2 миллигенри! а вовсе не 0,1 Гн как "завещал Гришин" (что также означает, что он был лопух), а некоторые и 1 Гн туда колхозят.

А там одно тянет другое: если делать дроссель даже в 0,1 Гн - > то у него актсопр будет уже существенное - > т.е. надо ставить разделительный электролит на выход.. но тогда всё изящество пропадает. Нет, электролит нам не нужен.. всё не так просто оказалось.

[Alex Torres]

  On 6/10/2022 at 3:50 PM, Shef said:

СогласИтесь, 1 нанофарада при сочетании остальных характеристик - очень неплохо для наших целей!

Expand  

Можно взять старый добрый STP36NF06 - у него 0.6нФ. И Rdson в полтора раза меньше.

И дешевле, раз в 10...

  On 6/10/2022 at 3:50 PM, Shef said:

но НЕ для этой схемы SE с нагр.дросселем.

Expand  

Ну если там полевик не в линейном режиме, то конечно

Тогда можно и ISC046N04NM5 взять, там хоть и та-же 1 нанофарада, зато 5 мОм.

 

P.S. IRFP150N тоже не плохой выбор, я на них делал и Фолловер и Зен.

 

[BAA]

  On 6/10/2022 at 6:11 AM, Alex Torres said:

 

В смысле?

Expand  

В прямом, 2-х мерный электронный газ а гетерослое 20 нм. Потенциал затвора выше порогового - есть, ниже - нет. Если СИ поменять полярность то затвор опять положителтьный относительно истока - опять открыто в смысле closed. Есть и биполярники, как у инфинеона. 
https://en.wikipedia.org/wiki/High-electron-mobility_transistor#/media/File:HEMT-band_structure_scheme-en.svg

Где диодий-то?

Edited June 10, 2022 by BAA

[Alex Torres]

Судя по даташиту TP90H050WS, диод там есть, и параметры его дают.

[BAA]

  On 6/10/2022 at 8:58 PM, Alex Torres said:

Судя по даташиту TP90H050WS, диод там есть, и параметры его дают.

Expand  

При обратном напряжении, минус на стоке, плюс на истоке, нуль на затворе, на затворе будет "+" относительно стока => транзистор будет в открытом состоянии и будет выглядеть как диод, плавать как диод и крякать like a duck, тьфу, диод.

 

[Alex Torres]

  On 6/11/2022 at 7:44 AM, BAA said:

При обратном напряжении, минус на стоке, плюс на истоке, нуль на затворе, н

Expand  

Так не правильно, диод проверяется когда напряжение гейт-сорс равно нулю.

[BAA]

  On 6/11/2022 at 8:20 AM, Alex Torres said:

Так не правильно, диод проверяется когда напряжение гейт-сорс равно нулю.

Expand  

Apparently some can not either read or comprehend what's written in plain Russian/English (ti note). Let's try 3rd and last time.
If one ties gate to source and thus obtain a new unicorn like device with only two pins: drain and gate(source).
Once again (source-gate equals zero), if voltage on gate is positive in respect to source or drain (some JFETs has swappable drain and source pins, just for instance)
the channel starts to conduct as soon as positive gate to source (or drain)voltage exceeds threshold one.
Sincerely,
BAA
BTW, If you apply negative voltage to gate in order to keep FET better "off" the "forward diode voltage" drop will increase on the same amount.

[Alex Torres]

Thanks for those a detailed explanation!

But we are not talking about jfet.

 

BTW, it is very easy to distinguish a forward biased diode from a conductive mosfet channel.

[BAA]

  On 6/11/2022 at 8:49 AM, Alex Torres said:

BTW, it is very easy to distinguish a forward biased diode from a conductive mosfet channel.

Expand  

Со всем уважением, в предпоследнюю строку userlink меню.
Искренно желаю удачи,
Alex

[Alex Torres]

Adios.

[Shef]

"..You are not gonna fight, aren't you?.. you two hot Finnish folks camrades"

Я смотрю у OTL-щиков всё в этом направлении пошлО.. Вот что у меня на макете, только смещение МОСФЕТа стабилизировано на светодиодах, у 2SK стабилитрон к затвору уже есть внутри.
У меня сделано не по-максимуму, из чего было под рукой. Кстати, для 4 Ом нагрузки пробовался вот такой дроссель на 3 mHn, размером с 2 спичечных коробка, как по Броски - действительно на 3А оказался достаточен до 30-35 Гц вниз.

Теперь шщитаем что с неё можно максимально получить: при моих 1,5 А средняя выходная чуть больше 10 ватт на 35 герцах, ниже - драматическое падение. При 2 А можно снять 16 ватт, а при 30 В питания и 3 А == 36 ватт.

Камрады ОТЛ-любители, при ваших дохлых пол-ампера тока покоя (к примеру, одной 6С33С) сколько вы расчитываете с усилителя снять?
Правильно, 1 ватт в самом кучерявом случае, прописью: А-ДЫН. Получается такой симпатиШный камин.. для прикроватного использования.. Т.е. вы драйвите эту 33С каким-нить пентодом - дак выкиньте её, воткнИте в пентод ТВЗ, и вуаля! тот же самый адын ватт, даже может два   Хотя.. это и есть за чем мы тут собралИсь.

Камрады, а вот поскажИте мне по поводу металлопорошковых колец? Я в этом не копенгаген, мне надо чтоб кратко.
Вот можно прикупить зелёное (я правильно понимаю что они покрашены в зелёный?) диаметром 8 см, намотать на него 50+ витков в один слой, получим искомые 10 миллиГенри, будет ли это ОК для 3А тока покоя?

[Stan Marsh]

  On 6/11/2022 at 8:01 PM, Shef said:

1 ватт

Expand  

Чуть больше. 

 

  On 6/11/2022 at 8:01 PM, Shef said:

вы драйвите эту 33С каким-нить пентодом

Expand  

Триодом. 

 

Тема дроссельного SE повторителя изрядно освещалась на Веге, и слегка - в жРадио. Есть даже заморский проект транзисторного, но  РР, на готовом силовом трансформаторе в кач-ве дросселя. Для РР зазор не нужен. В жРадио (там SE) рекомендовалось использовать готовые унифицированные дроссели. Где-то миллигенри на 40.

[Shef]

Я по забджекту покурил абсолютно всё, что смог найти, включая Броски и (разумеется) западные форумы, статью Гришина в Радио 2013 и её всевозможные обсуждения.

- Василий Алибабаевич, на твоём ламповом ОТЛ какая выходная?
- Адын ва-ат!
- А теперь, как мосфет припаяешь, ещё три добавится..

 

[BAA]

  On 6/11/2022 at 8:01 PM, Shef said:

Камрады, а вот поскажИте мне по поводу металлопорошковых колец? Я в этом не копенгаген, мне надо чтоб кратко.

Expand  

Всё как всегда:

1. L=AL*W^2
2. H=I*W/L B=mu*mu0*H=mu*mu0*I*W/L и B=U1*10^4/(4.44*f*W*s) B~0.5.
Берем B  примерно в половину насыщения. Для альсифера (он же сендаст) примерно 1,05/2= 0,5 Т.
Следует помнить, что в материале с малой проницаемостью собственно альсифера очень мало.
Дороговато, но есть и Ш оно же недружественное E. Последнее упрощает намотку.
Например 0077098A7 AL=223нГн/W^2 S=3,58cm^2 L=.243 m
Возьмем 2шт и 40 мГн AL=446нГн/W^2 S=7.16cm^2
W=sqrt(0.04/AL)=sqrt(0.04/446e-9)=299
Берем эдак ампера 3 тока, имеем H=3*300/.243=3700 A/m
смотрим B0=4*PI*1e-7*125*3700=0.58 T. Это несколько больше чем хотелось, но можно немного ток сбросить, типа до 2,6А
Имеем 40мГн, 300 витков, начальный ток (ток покоя) 2,6А. 
Полоса мощности по низу, ваших 10 В амплитуды (примерно). B~ 0.5T => f=U1*10^4/(4.44*B*W*s)=10*1e4/(4.44*.5*300*7.16)=20,97~21 Гц
Что ещё? Сердечник нелинейный, весьма. Поэтому при 2,6А бум иметь не 40 мГн а где-то так 20.
Задача становится итерационной, да и не к чему это... пересчитывать.
Пробуйте. На ferrit-e одна штука 1899 вечнодеревянных.
За такие деньги можно попробовать аморф с зазором найти, не говоря уже про П(Л) и Ш(Л).
BAA
Прошу не пинать если обсчитался.