Jump to content

Recommended Posts

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.


  • Клубы

  • Сообщения

    • Нету абстрактного понятия "лучше-хуже", но есть конкретное: лучше именно для этого места/применения. Вот с этим в ОУ очень хорошо: зная наперёд все требования к транзисторам: рабочие токи, напряжения, рассеиваемые мощности можно выбрать соотв. размер структуры на кристалле. Зная назначение транзистора: входной, малошумящий или выходной и режимы его работы, можно придать ему требуемые свойства - снизить шумы, повысить бету. Но я говорил не об этом. Нас интересует аудиокачество ОУ, а оно складывается и из малошумности, и из исходной линейности ОУ, и из полосы его рабочих частот до фед, от которой, в силу треугольной формы АЧХ ОУ, зависит усиление на каждой данной частоте звукового диапазона. А вот с этим последним у ОУ туго, именно в силу треугольной АЧХ: чтобы получить какие-то неунизительные усиления в звуковом диапазоне, надо забрасывать фед как можно выше, применяя как можно меньшие, высокочастотные транзисторные структуры, что настолько вступает в противоречие с требованием выходной мощности ОУ, что ею приходится жертвовать, выбирая пониженные напряжения питания, как для AD8055/AD8056, по 5 в в плечо. Одиночные ОУ выручают, если допустимы посредственные результаты и неохота ничем думать.   А вот с изготовитель дискретов не знает наперёд назначения его приборов, потому должен выпускать их с разбивкой на категории по мощности, но не ниже 100 мВт (кроме специальных транзисторов для гибридных ИМС). Больше мощность - больше  Скб прибора, ниже фт. Казалось бы, трудно на относительно низкочастотных транзисторах получить требуемое высокое усиление для глубокой ООС. Ан нет. Тут на помощь приходит ценнейшее свойство дискретов и некоторых ОУ ранних выпусков: возможность применять собственные цепи коррекции, которые формируют высокое усиление в звуковом диапазоне и быстрый его спад на частотах, для транзисторов недоступных.  Но над этим надо думать, необходимость чего и есть преимуществом электроники. 
    • Нет.    Верно, в авторское тексте есть обоснование такого выбора. 
    • Значит не внимательно читали, по цоколевке не совпадают, сетки с анодом надо соединять, иначе одна сетка работает как анод, долго не протянет.
    • Хорошо. Прозвучит. Искажения резистора - это следствие нелинейной ВАХ: зависимости сопротивления (и тока) от приложенного напряжения, тока, а также от рассеиваемой мощности и температуры. Для победы над указанными зависимостями надо снижать прилагаемые к резистору напряжения, ограничивать токи, рассеиваемые мощности и температуры.  Если знать, что делать, далее - просто: наименее важна линейность резисторов в устройствах автоматики, наиболее важна - в цепи ООС. Для снижения напряжения на резисторе при имеющемся коэффициенте напряжения Ку надо включать резисторы последовательно. То же самое снижает рассеиваемую мощность и температуру резистора, позволяя при заданном Ткс добиться приемлемой линейности сужением диапазонов рассеиваемых мощностей и температур от сигнала. Также можно использовать резисторы с большой рассеиваемой мощностью, Ткс которых может быть меньше, чем у маломощных. Самый неудобный случай возникает при необходимости пропустить через резисторы большой ток под высоким напряжениям. Тогда для повышения линейности результирующей ВАХ их придётся включить в несколько параллельных ветвей последовательно включенных резисторов.    
    • Для ограничения давно есть спец устройства, от отключателей (AD), транзистор запирается, до Зенеров внутри моста из Шоттки. Последние с малой емкостью и пока закрыты емкость "не видна".  Если не считать входную емкость полевиков, как положено, нелинейную. Хотя диоды, с емкостью на порядок меньше,  есть.
    • Осталось посмотреть чьими "инженерами" созданы ЭРИ из которых усилители сделаны и компы с П/О для способствованию этому. Лет 40 назад. Сейчас никому это не надо. Слушают даже не телевизор или радиву в машине, а телефон, его и смотрят, или комп дома. Вот там инженеры и есть.
    • Это как двигатель против автомобиля. Транзисторы в ОУ сильно лучше общедоступных дискретных, хотя и специфические. Видимо сделаны они (ОУ) для другого. И квазинасыщение известно, как и рекомендации оставлять 15-20 В на приборе. Никого же не удивляет остаточное на триоде. На сём удаляюсь, ибо неинтересно и делать точно не буду. Кстати о победе над "линейностью" резистора так и не прозвучало.
    • Первая лампа есс83 (6н2п), вторая (ef86) 6ж32п? Верно? Странный выбор ламп... Пентод на раскачке у 33х... Или я ошибаюсь?
    • Непонятно, как такое может быть... Я на макете проверял... На плече получилось С-R-C-R-C , где С =3300мкф и R=10 Ом. Только при таких фильтрах фон отсутствовал.... При меньших значениях фонило ...  Надо ради интереса его схему на макете собрать...на 6н13с... У меня их много... Красивые лампочки... 💡 Кстати, при фиксированном смещении 6с33с в этой схеме Тима как себя чувствуют? Не уходят в разнос?
    • Выдано 3 баллов, которые никогда не истекут. Заблокирован - 14 дней и 22 часа
    • Недавно сделал ,,малыша,, на 6П3С-Е
  • Forum Statistics

    • Total Topics
      10.2k
    • Total Posts
      108.8k
×
×
  • Create New...