Shef Posted June 8, 2022 Posted June 8, 2022 Alex Torres said: Кроме класс-Д - ни в каком. Ну тоесть, абсолютно ни в каком. Я типа того же почти собирался сказать, но на свой лад: вы, камрады, изучали поведение/примение МОСФЕТов для ваших каких-то конкретных применений, а я - для своего. Мне вот интересен однотакт с дроссесел (из-за изящества, и особенно! из-за отсуЦтвия конского электролита на выходе), а класс Д -нет. Я признаЮ, что что-то вполне важное "прошло мимо моих глаз" по этой причине, скажем, ПП на МОСФЕТах для меня вообще незнакомая тема. Я дико извиняюсь за отклонение от темы топика.. может, тов.Модератор отделит посты в отдельную тему, типа, скажем "Мощные МОСФЕТы". Там и продолжим в меру желания. Quote
Alex Torres Posted June 8, 2022 Posted June 8, 2022 14 минут назад, Shef сказал: вы, камрады, изучали поведение/примение МОСФЕТов для ваших каких-то конкретных применений, а я - для своего. Не, я просто сами мосфеты изучал, и применял. 14 минут назад, Shef сказал: а я - для своего. Мне вот интересен однотакт с дроссесел Да это неважно - там транзистор в линейном режиме, и Rdson не при делах. 14 минут назад, Shef сказал: скажем "Мощные МОСФЕТы Да оно хоть у мощных, хоть у не мощных, хоть у мосфетов, хоть у jfet-ов - все одно и то-же. Quote
Shef Posted June 9, 2022 Author Posted June 9, 2022 "резать, не дожидаясь перитонита!" - ну удалить так удалить, моих каментов тут уже много удалили, одним больще, одним меньше.. в один день это надоест, и "..чтобы похвастаться.." - я ещё не начинал Alex Torres, с полевиками "ещё не конец" и я таки планирую задать вопросы - вот вы на них и ответите )) как мега-специалист, без иронии, судя по вашим комментариям. Всё же специализировал бы её как "Мощные МОСФЕТы", т.к., к примеру, вопросы термостабилизации и/ли изменения сопр.открытого канала от температуры в маломощных полевииках ну как-то мало кого интересуют. Соответственно, JFET-ов мощных мы тоже не наблюдаем в народном конструировании.. отсюда конкретное название темы. Кстати, можете дать нам вводную по IGBT-там.. что за зверь, чё/почём, вас не затруднИт? Quote
Ollleg Posted June 9, 2022 Posted June 9, 2022 10 часов назад, Shef сказал: ну удалить так удалить, моих каментов тут уже много удалили Шеф, 2 ком., 2!!! Полит. анекдот. Больше ни одного! Если что потеряли, смотрите здесь; https://newaudioportal.com/topic/352-споры/#comment-11206 Просили тему, я сделал. При чём тут Александр? Quote
Shef Posted June 9, 2022 Author Posted June 9, 2022 Ok, Ok, виноват, пжста, перенесИте каммент выше - > туда, удалите этот, и начнём пытать Torres-а на предмет IGBT-ов Quote
Alex Torres Posted June 9, 2022 Posted June 9, 2022 IGBT это не мосфет. Зачем он Вам? Есть еще СИТ, БСИТ (разновидностью которых и являются IGBT), но тема-то о мосфетах. Quote
ДимДимыч Posted June 9, 2022 Posted June 9, 2022 5 минут назад, Alex Torres сказал: IGBT это не мосфет. Зачем он Вам? Может Shef какую сварку изобретает. Quote
BAA Posted June 10, 2022 Posted June 10, 2022 5 hours ago, ДимДимыч said: Может Shef какую сварку изобретает. Всё гораздо хужее. Если можно BJT каскадом управлять выходными MOSFET-ми , то почему нельзя наоборот. Тем более что граждане из страны в...о солнца всегда знали толк в извращениях и таки звуковые IGBT делали. DIYAUDIO:EVA "There are P-channel IGBTs too. The GT20D201/GT20D101 complemantary N/P audio IGBT pair was once available from Toshiba, and a circuit using them was published in Elektor some years ago." Quote
Shef Posted June 10, 2022 Author Posted June 10, 2022 Torres, вот если бы вы в паре абзацев рассказал почему оно не годится в усилители, или всё же в какие-то годится? это было бы класс. А "Зачем он мне?" - это ведь не то, что я спрашивал, вы не находите? И это такой ответ, который вашего участия не то чтобы требует. Ну хорошо, а вот про это нам расскАжете? TP90H050WS 900V 34A 50mO 1nF я реально пока не знаю что это за новомодная штуковина. Тестировал ли вы такие? работает ли оно в линейном режиме? (ну, скажем, хотя бы также, как обычные ключевые МОСФЕТы) Полагаю, в истоковом повторителе оно будет ничем не хуже какого-нить IRF / IRFP, какое ваше экспертное мнение? Я могу, конечно, купить и сам всё попробовать, но вдруг вы уже: Quote
BAA Posted June 10, 2022 Posted June 10, 2022 а) Это каскод с trench ключевым транзистором на входе. б) Я бы подумал про размер кристалла относительно кремниевого эквивалента. в) Отсутствует встроенный лавинный диод сток-исток, хотя в обратную сторону прибор проводит а вот перенапряжение вряд ли выносит. Для звуковых целей пробовали GaN c индуцированным каналом, которые бескорпусные. Кстати все SiC МОП транзисторы есть Baliga pair, то есть каскод по умолчанию. Пробуйте JFET SiC. Quote
Alex Torres Posted June 10, 2022 Posted June 10, 2022 4 часа назад, Shef сказал: А "Зачем он мне?" - это ведь не то, что я спрашивал, вы не находите? А Вы ничего не спрашивали. 4 часа назад, Shef сказал: если бы вы в паре абзацев рассказал почему оно не годится в усилители, или всё же в какие-то годится? Ну раз на IGBT схемы усиителей периодически попадаются, то значит как-то годится. 4 часа назад, Shef сказал: Ну хорошо, а вот про это нам расскАжете? TP90H050WS 900V 34A 50mO 1nF Ничего не расскажу, я с ними не работал. 4 часа назад, Shef сказал: работает ли оно в линейном режиме? ( Любой мосфет работает в линейном режиме, только надо на ОБР смотреть. Правда это не совсем "обычный", но скорее всего тоже будет. 4 часа назад, Shef сказал: Полагаю, в истоковом повторителе оно будет ничем не хуже какого-нить IRF / IRFP, какое ваше экспертное мнение? Может быть, попробуйте и расскажете. А Вам обязателно нужно на 900 вольт? 47 минут назад, BAA сказал: Отсутствует встроенный лавинный диод сток-исток В смысле? Quote
Shef Posted June 10, 2022 Author Posted June 10, 2022 Нет, IGBT я серьёзно не рассматривал, по крайней мере для однотакта. Действительно, лет 5 назад наткнулся где-то на схему мощного сабвуфера на них на каком-то огромном динамике, подумал "а пуркуя бы и не па"... но на этом всё. Нет, 900 вольт мне не нужно. Я когда (год назад) искал в Маузере "чё бы такое купить" в этот свой однотактник, обратил внимание, что появился ассортимент этих каскодных HEMT-MOSFET, по-меньшей мере штук 20, но сохранил даташит почему-то только на этот. СогласИтесь, 1 нанофарада при сочетании остальных характеристик - очень неплохо для наших целей! Тем временм пробовал всё что валялось в тумбочке, пока не наткнулся на древний тошибовский 2SK2607.. поставил в макет и заслушался. Потом подумал, Не, надо что-то посовременнее прикупить, да и этот SK всего один, где их потом брать? Ждать доставки не хотелось, поэтому в местном магазе по $4 нашлись (оригинальные! IR-овские, походу остатки) IRFP150N 100V 40A 36мO 1,9nF - с ними всё отлично, но.. поставил этот SK назад, и так вот он до сих пор и играет. OK, при следующей закупке в Маузере попробую этот TP90H050WS нo это очень нескоро, в планах добить наконец уже ПП-долгострой и есть пара других запланированных дел. Купить и вставить в макет - это недолго, проблема в том, что остальные дела окажутся заброшены.. поэтому, нет, не сейчас. Конечно, вы прав, что Rdson некритично для усилителей в линейном режиме.. но НЕ для этой схемы SE с нагр.дросселем. Конкретно в ней чем оно меньше - тем меньше минимальная допустимая индуктивность дросселя при условии какой-то желаемой нижней частоты. Об этом Броски кратко высказался в своей статье 2012 г. Пришлось с этим разобраться. В частности, при 50 миллиомах достаточная индуктивность получается 2 миллигенри! а вовсе не 0,1 Гн как "завещал Гришин" (что также означает, что он был лопух), а некоторые и 1 Гн туда колхозят. А там одно тянет другое: если делать дроссель даже в 0,1 Гн - > то у него актсопр будет уже существенное - > т.е. надо ставить разделительный электролит на выход.. но тогда всё изящество пропадает. Нет, электролит нам не нужен.. всё не так просто оказалось. Quote
Alex Torres Posted June 10, 2022 Posted June 10, 2022 54 минуты назад, Shef сказал: СогласИтесь, 1 нанофарада при сочетании остальных характеристик - очень неплохо для наших целей! Можно взять старый добрый STP36NF06 - у него 0.6нФ. И Rdson в полтора раза меньше. И дешевле, раз в 10... 54 минуты назад, Shef сказал: но НЕ для этой схемы SE с нагр.дросселем. Ну если там полевик не в линейном режиме, то конечно Тогда можно и ISC046N04NM5 взять, там хоть и та-же 1 нанофарада, зато 5 мОм. P.S. IRFP150N тоже не плохой выбор, я на них делал и Фолловер и Зен. Quote
BAA Posted June 10, 2022 Posted June 10, 2022 (edited) 11 hours ago, Alex Torres said: В смысле? В прямом, 2-х мерный электронный газ а гетерослое 20 нм. Потенциал затвора выше порогового - есть, ниже - нет. Если СИ поменять полярность то затвор опять положителтьный относительно истока - опять открыто в смысле closed. Есть и биполярники, как у инфинеона. https://en.wikipedia.org/wiki/High-electron-mobility_transistor#/media/File:HEMT-band_structure_scheme-en.svg Где диодий-то? Edited June 10, 2022 by BAA Quote
Alex Torres Posted June 10, 2022 Posted June 10, 2022 Судя по даташиту TP90H050WS, диод там есть, и параметры его дают. Quote
BAA Posted June 11, 2022 Posted June 11, 2022 10 hours ago, Alex Torres said: Судя по даташиту TP90H050WS, диод там есть, и параметры его дают. При обратном напряжении, минус на стоке, плюс на истоке, нуль на затворе, на затворе будет "+" относительно стока => транзистор будет в открытом состоянии и будет выглядеть как диод, плавать как диод и крякать like a duck, тьфу, диод. Quote
Alex Torres Posted June 11, 2022 Posted June 11, 2022 37 минут назад, BAA сказал: При обратном напряжении, минус на стоке, плюс на истоке, нуль на затворе, н Так не правильно, диод проверяется когда напряжение гейт-сорс равно нулю. Quote
BAA Posted June 11, 2022 Posted June 11, 2022 17 minutes ago, Alex Torres said: Так не правильно, диод проверяется когда напряжение гейт-сорс равно нулю. Apparently some can not either read or comprehend what's written in plain Russian/English (ti note). Let's try 3rd and last time. If one ties gate to source and thus obtain a new unicorn like device with only two pins: drain and gate(source). Once again (source-gate equals zero), if voltage on gate is positive in respect to source or drain (some JFETs has swappable drain and source pins, just for instance) the channel starts to conduct as soon as positive gate to source (or drain)voltage exceeds threshold one. Sincerely, BAA BTW, If you apply negative voltage to gate in order to keep FET better "off" the "forward diode voltage" drop will increase on the same amount. Quote
Alex Torres Posted June 11, 2022 Posted June 11, 2022 Thanks for those a detailed explanation! But we are not talking about jfet. BTW, it is very easy to distinguish a forward biased diode from a conductive mosfet channel. Quote
BAA Posted June 11, 2022 Posted June 11, 2022 1 hour ago, Alex Torres said: BTW, it is very easy to distinguish a forward biased diode from a conductive mosfet channel. Со всем уважением, в предпоследнюю строку userlink меню. Искренно желаю удачи, Alex Quote
Shef Posted June 11, 2022 Author Posted June 11, 2022 "..You are not gonna fight, aren't you?.. you two hot Finnish folks camrades" Я смотрю у OTL-щиков всё в этом направлении пошлО.. Вот что у меня на макете, только смещение МОСФЕТа стабилизировано на светодиодах, у 2SK стабилитрон к затвору уже есть внутри. У меня сделано не по-максимуму, из чего было под рукой. Кстати, для 4 Ом нагрузки пробовался вот такой дроссель на 3 mHn, размером с 2 спичечных коробка, как по Броски - действительно на 3А оказался достаточен до 30-35 Гц вниз. Теперь шщитаем что с неё можно максимально получить: при моих 1,5 А средняя выходная чуть больше 10 ватт на 35 герцах, ниже - драматическое падение. При 2 А можно снять 16 ватт, а при 30 В питания и 3 А == 36 ватт. Камрады ОТЛ-любители, при ваших дохлых пол-ампера тока покоя (к примеру, одной 6С33С) сколько вы расчитываете с усилителя снять? Правильно, 1 ватт в самом кучерявом случае, прописью: А-ДЫН. Получается такой симпатиШный камин.. для прикроватного использования.. Т.е. вы драйвите эту 33С каким-нить пентодом - дак выкиньте её, воткнИте в пентод ТВЗ, и вуаля! тот же самый адын ватт, даже может два Хотя.. это и есть за чем мы тут собралИсь. Камрады, а вот поскажИте мне по поводу металлопорошковых колец? Я в этом не копенгаген, мне надо чтоб кратко. Вот можно прикупить зелёное (я правильно понимаю что они покрашены в зелёный?) диаметром 8 см, намотать на него 50+ витков в один слой, получим искомые 10 миллиГенри, будет ли это ОК для 3А тока покоя? 1 Quote
Stan Marsh Posted June 11, 2022 Posted June 11, 2022 16 минут назад, Shef сказал: 1 ватт Чуть больше. 16 минут назад, Shef сказал: вы драйвите эту 33С каким-нить пентодом Триодом. Тема дроссельного SE повторителя изрядно освещалась на Веге, и слегка - в жРадио. Есть даже заморский проект транзисторного, но РР, на готовом силовом трансформаторе в кач-ве дросселя. Для РР зазор не нужен. В жРадио (там SE) рекомендовалось использовать готовые унифицированные дроссели. Где-то миллигенри на 40. 1 Quote
Shef Posted June 12, 2022 Author Posted June 12, 2022 Я по забджекту покурил абсолютно всё, что смог найти, включая Броски и (разумеется) западные форумы, статью Гришина в Радио 2013 и её всевозможные обсуждения. - Василий Алибабаевич, на твоём ламповом ОТЛ какая выходная? - Адын ва-ат! - А теперь, как мосфет припаяешь, ещё три добавится.. Quote
BAA Posted June 12, 2022 Posted June 12, 2022 6 hours ago, Shef said: Камрады, а вот поскажИте мне по поводу металлопорошковых колец? Я в этом не копенгаген, мне надо чтоб кратко. Всё как всегда: 1. L=AL*W^2 2. H=I*W/L B=mu*mu0*H=mu*mu0*I*W/L и B=U1*10^4/(4.44*f*W*s) B~0.5. Берем B примерно в половину насыщения. Для альсифера (он же сендаст) примерно 1,05/2= 0,5 Т. Следует помнить, что в материале с малой проницаемостью собственно альсифера очень мало. Дороговато, но есть и Ш оно же недружественное E. Последнее упрощает намотку. Например 0077098A7 AL=223нГн/W^2 S=3,58cm^2 L=.243 m Возьмем 2шт и 40 мГн AL=446нГн/W^2 S=7.16cm^2 W=sqrt(0.04/AL)=sqrt(0.04/446e-9)=299 Берем эдак ампера 3 тока, имеем H=3*300/.243=3700 A/m смотрим B0=4*PI*1e-7*125*3700=0.58 T. Это несколько больше чем хотелось, но можно немного ток сбросить, типа до 2,6А Имеем 40мГн, 300 витков, начальный ток (ток покоя) 2,6А. Полоса мощности по низу, ваших 10 В амплитуды (примерно). B~ 0.5T => f=U1*10^4/(4.44*B*W*s)=10*1e4/(4.44*.5*300*7.16)=20,97~21 Гц Что ещё? Сердечник нелинейный, весьма. Поэтому при 2,6А бум иметь не 40 мГн а где-то так 20. Задача становится итерационной, да и не к чему это... пересчитывать. Пробуйте. На ferrit-e одна штука 1899 вечнодеревянных. За такие деньги можно попробовать аморф с зазором найти, не говоря уже про П(Л) и Ш(Л). BAA Прошу не пинать если обсчитался. 1 Quote
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.