То что я слушаю вам явно не понравиться. Сверхлинейные ПП усилители и коаксиальные студийные мониторы. Ваше любопытство удовлетворено? Вам же нужно чтобы звук был волосатый? Родниковая вода не входит?
Вопрос вроде иначе сформулирован? Не про "вкусы Совы" вовсе.
Переписать крупными буквами?
Вопрос о "переходе на личности" оставим на рассмотрение "дорогой редакции" форума пока что...
Хотелось бы коллегам-диагностам напомнить кое-что из Крылова И.А., который во многом "наше всё!", и, заодно, для лучшего понимания ситуации, попросить похвастаться, какую именно "не дрянь", и как преимущественно, они прослушивают. А то вдруг и правда надо начинать НЕ с подсчёта кумушек-то?
Для аудио применений , не для укв или видео или радиолокации миллиметрового диапазона впооне хватает параметров германия.
Доказано практикой звучания усилителей на германии.
Я общался с одним неплохим человеком , который работал с Стародубцевым, а потом дело перешло его зятю и он ушёл. Было это на форуме Markanaudio, лет 10 -ть назад, он там модератор до сих пор. Ник у него Suzi, так вот такое смещение он то же использовал, при малом токе батарейку в катод, как в первом каскаде , и только никель-кадмиевые. Ну а второй каскад как обычно в сетку, убрали электролиты где можно. Не самый плохой вариант по схемотехнике, ну а реализация все го этого - уже на совести производителя.
Много чего перечитал.
Если есть у кого практическое воплощение этого включения, поделитесь опытом.
Лампочка интересная.
С ув. Александр.
PS. Хочу попробовать на выходе корректора.
Сейчас на выходе 6п14п с трансформатором 1:1., хочу 1:0,5.
Первый каскад на 6С17К, усиления предостаточно.
Это справедливо только для материала с собственной проводимостью. В транзисторах проводимость примесная и подвижность носителей зависит от концентрации примеси. Чем больше концентрация тем ниже подвижность. Ge транзисторы - приборы с высокой степенью концентрации, Si транзисторы с низкой. Причина в технологии. Практически все Ge транзисторы выполнены по сплавной технологии и ее мутациям, что приводит к высокой степени концентрации примеси и как следствие к низкой подвижности носителей и низкому быстродействию. Si транзисторы планарные, концентрация носителей низкая, как следствие подвижность носителей остается близкой к подвижности у материала с собственной проводимостью. И как следствие подвижность носителей в Si планарных транзисторах гораздо больше оной в Ge сплавных. Со всеми вытекающими.
Два набора е114х65 толщина 0.65мм без винтов и иной фурнитуры, масса железа 4.25кг, по 600р каждый.
Три набора е133х50 толщина 0.5мм с винтами и крепёжной фурнитурой, масса железа 4.4кг по 750р каждый.
Могу предложить отправку через Авито, для экономии на доставке.
Связь в личку.
Recommended Posts