BAA

"не измеряется правильно". В пассиве и продолженном времени. Что вы сказали было бы wasn't being что по русски просто бред.

Не ожидал. Но все бывает первый раз. И к какой народности ближе? Как говорят недружественные "If it measures right and sounds bad, then it isn't being measured right...." если все по измерениям хорошо а звучит плохо то оно не измерено хорошо.

Вы удивляете все более и далее. Какие заложены. Никогда по найму не работали и бумаг, соответственных, не подписывали?

"Спутал с Вима МКР, там наружная обозначена. Но бывала и неправильн..." При толщине диэлектрика в единицы микрон внешняя обкладка отличается от внутренней..? Типа электростатически экранирует..? Может таки сказочные сказки в сказочный раздел, Сказки народов Удифилии. Резисторяне капаситоряне проводяне припояне P.S. Заземление металлического корпуса в общем-то понятно, надо как-нибудь измерить. К72-П6 0.47х500 менее 10 пФ с любого вывода на корпус. И это вообще-то большой по размеру кондер.

Смотря где и почем - уже покупали по 10-кратной цене. Процы по 100 кратной. Комплектация по большому пропала не в 21 а в 20-м. А так да, в справочниках и неликвидах есть.

Соединяйте последовательно с уравнивающими резисторами и делов то. Расход увеличивается только.

Это нарушение геометрии получается, да так что запереть нельзя. Сетка не совпадает с анодом или намотана неровно? Если до конца не запирается то и не работать а той области.

Такое вот брат дело, топология называется, или разводка, которая не кроликов.

Даже некто Макаров настаивал на том, чтобы знать что подключено... при слепом прослушивании. Каденция: период времени, в течение которого лицо сохраняет полученный статус или занимаемый пост.

Н-да. Я видел необескислороженую медь после нагрева в атаосфере водорода, впечатляет 2H2+O2=2H2O. В остальном не знаю.

Как вам сказать, чтоб не обидеть? Смотря для чего. Alex T, несмотря на занудство, коли преобразователи делает, ещё как знает. Короче порошковое, оно же карбонильное, железо оно таки просто чистое железо, я бы сказал даже очень чистое, от чего и ржавеет. Кроме альсифера есть молотый пермаллой и Мо-пермаллой и еще всякие нано/аморфы и т.д. и т.п. Но, когда на китайской картинке про Iron Powder, (таки железо, см. выше) написано Composition (типа состав) Ferrite, то не верь глазам своим, покупатель! Удачи!

Согласен, 303 на на уровне малошумящего германия, хотя шум другой - подарил.

Бесо... пардон вкусовщина, однака особенно с лампами, сам грешен. Я бы сравнивал скорее триоды против пентодов. И да, чегой-то в измерителях шума стоят технологически более продвинутые приборы, не так-ли? И чегой-то все малошумные 170/74 или те-же 862 куда-то делись, видно кремния много едят. Использование "шумных" компоненты при наличии "нешумных" объяснимо для массового производства - 10с экономии дает $ 1e6 при выпуске 1e7 штук.

Как-то читалось, что шум МОП транзисторов на порядок больше, чем c PN переходом. Смысл?

Вы прям как дети малые. Вот чем А лучше Б? Все считается как просто транс.

Всё как всегда: 1. L=AL*W^2 2. H=I*W/L B=mu*mu0*H=mu*mu0*I*W/L и B=U1*10^4/(4.44*f*W*s) B~0.5. Берем B примерно в половину насыщения. Для альсифера (он же сендаст) примерно 1,05/2= 0,5 Т. Следует помнить, что в материале с малой проницаемостью собственно альсифера очень мало. Дороговато, но есть и Ш оно же недружественное E. Последнее упрощает намотку. Например 0077098A7 AL=223нГн/W^2 S=3,58cm^2 L=.243 m Возьмем 2шт и 40 мГн AL=446нГн/W^2 S=7.16cm^2 W=sqrt(0.04/AL)=sqrt(0.04/446e-9)=299 Берем эдак ампера 3 тока, имеем H=3*300/.243=3700 A/m смотрим B0=4*PI*1e-7*125*3700=0.58 T. Это несколько больше чем хотелось, но можно немного ток сбросить, типа до 2,6А Имеем 40мГн, 300 витков, начальный ток (ток покоя) 2,6А. Полоса мощности по низу, ваших 10 В амплитуды (примерно). B~ 0.5T => f=U1*10^4/(4.44*B*W*s)=10*1e4/(4.44*.5*300*7.16)=20,97~21 Гц Что ещё? Сердечник нелинейный, весьма. Поэтому при 2,6А бум иметь не 40 мГн а где-то так 20. Задача становится итерационной, да и не к чему это... пересчитывать. Пробуйте. На ferrit-e одна штука 1899 вечнодеревянных. За такие деньги можно попробовать аморф с зазором найти, не говоря уже про П(Л) и Ш(Л). BAA Прошу не пинать если обсчитался.

Вот так, дети разъехались, перегородки нет и сразу "чудо". По мере готовности буду пробовать. Всем спасибо. BAA

Со всем уважением, в предпоследнюю строку userlink меню. Искренно желаю удачи, Alex

Apparently some can not either read or comprehend what's written in plain Russian/English (ti note). Let's try 3rd and last time. If one ties gate to source and thus obtain a new unicorn like device with only two pins: drain and gate(source). Once again (source-gate equals zero), if voltage on gate is positive in respect to source or drain (some JFETs has swappable drain and source pins, just for instance) the channel starts to conduct as soon as positive gate to source (or drain)voltage exceeds threshold one. Sincerely, BAA BTW, If you apply negative voltage to gate in order to keep FET better "off" the "forward diode voltage" drop will increase on the same amount.

При обратном напряжении, минус на стоке, плюс на истоке, нуль на затворе, на затворе будет "+" относительно стока => транзистор будет в открытом состоянии и будет выглядеть как диод, плавать как диод и крякать like a duck, тьфу, диод.

В прямом, 2-х мерный электронный газ а гетерослое 20 нм. Потенциал затвора выше порогового - есть, ниже - нет. Если СИ поменять полярность то затвор опять положителтьный относительно истока - опять открыто в смысле closed. Есть и биполярники, как у инфинеона. https://en.wikipedia.org/wiki/High-electron-mobility_transistor#/media/File:HEMT-band_structure_scheme-en.svg Где диодий-то?

а) Это каскод с trench ключевым транзистором на входе. б) Я бы подумал про размер кристалла относительно кремниевого эквивалента. в) Отсутствует встроенный лавинный диод сток-исток, хотя в обратную сторону прибор проводит а вот перенапряжение вряд ли выносит. Для звуковых целей пробовали GaN c индуцированным каналом, которые бескорпусные. Кстати все SiC МОП транзисторы есть Baliga pair, то есть каскод по умолчанию. Пробуйте JFET SiC.

Всё гораздо хужее. Если можно BJT каскадом управлять выходными MOSFET-ми , то почему нельзя наоборот. Тем более что граждане из страны в...о солнца всегда знали толк в извращениях и таки звуковые IGBT делали. DIYAUDIO:EVA "There are P-channel IGBTs too. The GT20D201/GT20D101 complemantary N/P audio IGBT pair was once available from Toshiba, and a circuit using them was published in Elektor some years ago."

Да никогда он за деньги их не делал. Кому надо инфу есть такой bolsert на diyaudio, а может и здесь есть кто посчитает акустику. Еще есть Calvin и Joppe Peelen, последний с характером однака и на темную (магнитную) сторону перешел. Ибо как тянуть струны и мазать пленку неинтересно, вам и тут расскажут. Смотрим сюда diyaudioDOTcom/community/threads/my-newest-pair-of-diy-electrostatic-panels-advice-needed.375319/