Aloizio Posted November 5 Posted November 5 Предупреждение: - Этого девайса в природе еще не существует. - Схемное решение девайса возникла в изменённом сознании, под влиянием веществ (не запрещенных РКН) - Симулятор МС9 показал возможную работоспобность девайса - Все параметры выведены симулятором. Схема: Что сказал симулятор: - Выходное напряжение должно составлять 2V при входном 0,25mV/1kHz - Расчетное THD должно быть в районе 0,02% (подсчет 2-10 гармоники) при входном сигнале 0,25mV - Расчетное THD при 10кратной перегрузке должно быть в районе 0,125% (подсчет 2-10 гармоники) (при входом сигнале 2,5mV/1kHz) - Расчетное отклонение от кривой RIAA в полосе 10-20000гц составляет ~1dB В качестве верхнего транзистора выходного SRPP вместо IRF710 напрашивается BSP129, но к сожалению в симуляторе модели этого транзистора нет, в известных мне библиотеках его тоже нет, фирма Infenion мой запрос на модель проигнорировала 1 Quote
BAA Posted November 5 Posted November 5 https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-SimulationModel_OptiMOS_PowerMOSFET_PSpice_240V_400V_600V_800V_N-Channel-SM-v01_00-EN.zip?fileId=db3a30433d346a2d013d45896f0956a4 Ну и 170 обычно пользуют с 20-30 омами автосмещения. Видимо буква не та. И источник тока можно на полевиках со встроенным каналом делать. 1 Quote
Aloizio Posted November 5 Author Posted November 5 7 минут назад, BAA сказал: Ну и 170 обычно пользуют с 20-30 омами автосмещения. При малых значениях резистора автосмещения ФК в симуляторе дохнет Quote
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.