У меня всегда один канал осциллографа показывает продукты искажений с выхода ИНИ. Даже обычный С6-5 сильно облегчает жизнь. А небольшая доработка расширяет диапазон измеряемых искажений примерно 0,001% 20 кГц, ниже проблематично, сильно шумит.
...в смысле: самый простой из сверхлинейных, а не "хуже жлх". На самом деле, ВВС-2011 переиграл кучу весьма дорогих ламповых поделий: ht tps://ldsound.club/threads/vvs-2011-um-nachal-nogo-urovnya.2568/post-405095.
И ты об этом знаешь.
Кстати, это очень хорошо, так как в искажометрах существовал канал вывода искажений на осциллограф, и можно было совмещением изображений усиленного сигнала и гармоник понять, где и почему ломается синус.
Которая задана в ОУ инженерами на заводе и о которой никто ничего не говорил.
А вот с этим можно уверенно спорить. Добавляем следящую ОС по питанию ОУ (или той его половины, куда смотрят стоки применённых на входе ПТ - полуслежение), пропадает как входная ёмкость полевиков, так и её нелинейность.
Нету абстрактного понятия "лучше-хуже", но есть конкретное: лучше именно для этого места/применения. Вот с этим в ОУ очень хорошо: зная наперёд все требования к транзисторам:
рабочие токи, напряжения, рассеиваемые мощности можно выбрать соотв. размер структуры на кристалле. Зная назначение транзистора: входной, малошумящий или выходной и режимы его работы, можно придать ему требуемые свойства - снизить шумы, повысить бету.
Но я говорил не об этом. Нас интересует аудиокачество ОУ, а оно складывается и из малошумности, и из исходной линейности ОУ, и из полосы его рабочих частот до фед, от которой, в силу треугольной формы АЧХ ОУ, зависит усиление на каждой данной частоте звукового диапазона. А вот с этим последним у ОУ туго, именно в силу треугольной АЧХ: чтобы получить какие-то неунизительные усиления в звуковом диапазоне, надо забрасывать фед как можно выше, применяя как можно меньшие, высокочастотные транзисторные структуры, что настолько вступает в противоречие с требованием выходной мощности ОУ, что ею приходится жертвовать, выбирая пониженные напряжения питания, как для AD8055/AD8056, по 5 в в плечо.
Одиночные ОУ выручают, если допустимы посредственные результаты и неохота ничем думать.
А вот с изготовитель дискретов не знает наперёд назначения его приборов, потому должен выпускать их с разбивкой на категории по мощности, но не ниже 100 мВт (кроме специальных транзисторов для гибридных ИМС). Больше мощность - больше Скб прибора, ниже фт. Казалось бы, трудно на относительно низкочастотных транзисторах получить требуемое высокое усиление для глубокой ООС.
Ан нет. Тут на помощь приходит ценнейшее свойство дискретов и некоторых ОУ ранних выпусков: возможность применять собственные цепи коррекции, которые формируют высокое усиление в звуковом диапазоне и быстрый его спад на частотах, для транзисторов недоступных.
Но над этим надо думать, необходимость чего и есть преимуществом электроники.
Хорошо. Прозвучит.
Искажения резистора - это следствие нелинейной ВАХ: зависимости сопротивления (и тока) от приложенного напряжения, тока, а также от рассеиваемой мощности и температуры. Для победы над указанными зависимостями надо снижать прилагаемые к резистору напряжения, ограничивать токи, рассеиваемые мощности и температуры.
Если знать, что делать, далее - просто: наименее важна линейность резисторов в устройствах автоматики, наиболее важна - в цепи ООС. Для снижения напряжения на резисторе при имеющемся коэффициенте напряжения Ку надо включать резисторы последовательно. То же самое снижает рассеиваемую мощность и температуру резистора, позволяя при заданном Ткс добиться приемлемой линейности сужением диапазонов рассеиваемых мощностей и температур от сигнала. Также можно использовать резисторы с большой рассеиваемой мощностью, Ткс которых может быть меньше, чем у маломощных.
Самый неудобный случай возникает при необходимости пропустить через резисторы большой ток под высоким напряжениям. Тогда для повышения линейности результирующей ВАХ их придётся включить в несколько параллельных ветвей последовательно включенных резисторов.
Recommended Posts