Jump to content

Владимир Перепелкин

Master
 View Profile  See their activity

  • Posts

    600

  • Joined

  • Last visited

 Content Type 

Everything posted by Владимир Перепелкин

  1. Владимир Перепелкин
    Sova, вы правы, раньше водка была крепче.
  2. Владимир Перепелкин
    Плата и схема. filin.zip Если нужно, могу сформировать заказ для размещения в pselectro.ru Они делают платы из PCAD4.5
  3. Владимир Перепелкин
    Плата двухслойная, слой земли и слой сигнальный. Земля продублирована по сигнальному слою. Можно делать однослойку.
  4. Владимир Перепелкин
    Прошу прощения.
  5. Владимир Перепелкин
    Нисколько. Кому хочется послушать приходят. Кому интересно, тот материалы использует. С этого форума например, наш коллега Климентий. Не верите мне, спросите у него.
  6. Владимир Перепелкин
    Только PCAD4.5, могу в виде pdf файла.
  7. Владимир Перепелкин
    Если Войшвилло знаком значит вы его или не прочитали или прочитали но неправильно поняли. В выставках не участвовал. Ролики в тюбик не пишу. Для этого Борзенков предназначен.
  8. Владимир Перепелкин
    Вы на ОБР ГТ813 посмотрите и на напряжение Uce max и сделайте выводы.
  9. Владимир Перепелкин
    Начинай читать Войшвилло.
  10. Владимир Перепелкин
    Петлевое усиление провалил вот и не свистит. Результат искажения в несколько раз больше чем возможные. Только коррекция это сложно. Зато недостаток линейности можно заменить похвалами. Я кстати не говорю что сделано плохо. Но сделать можно было гораздо лучше. На этом же самом схемотехническом каркасе.
  11. Владимир Перепелкин
    Смысл в том что крутой усилитель на "Германии". А лохи заплатят.
  12. Владимир Перепелкин
    Сильно завалено петлевое усиления. Слишком мал ток второго каскада. Коррекция неполная. Свистеть будет. И искажать. В подобных схемах нужно во второй каскад ставить ВЧ транзисторы. А германиевого ВЧ NPN с Uce 30 В не существует в природе. Так что во второй каскад придется ставить кремниевый. И ток второго каскада нужно задавать порядка 5 мА. Транзисторы второго и драйверного каскада работают только на технологическом запасе по Uce.
  13. Владимир Перепелкин
    Почему же бред? Вполне реальная ситуация. Бред это с восьми 1Т813 400 Вт получать. Это возможно только, если кристаллы кремниевые, а маркировка германиевая.
  14. Владимир Перепелкин
    Возможен и другой вариант. Сажаем в корпус КТЮ-3-20 кристалл MJ15025 или 2SA1943, в Китае неразделенные можно купить, на корпус наносим маркировку 1Т813ВОСМ. На таких можно будет и киловатт без каких проблем получить. В Брянске на "Кремнии" вполне могут пересадить и маркировку какую надо нанести.
  15. Владимир Перепелкин
    Дим Димыч, бывает ГТ813. Я ГТ813 вытащил из блока питания Б5-47.
  16. Владимир Перепелкин
    Эти графики к реальному применению транзисторов в усилителях не имеют никакого отношения. Вы что амплитуду тока коллектора будете до 30 А разгонять? Лучше всего работает такой ГТ813 у которого в корпусе с маркировкой ГТ813 сидит кристалл от КТ818.
  17. Владимир Перепелкин
    Не готовые усилители нужно было покупать, а хотя бы учебник Цыкиной почитать, для техникумов.
  18. Владимир Перепелкин
    С такой коррекцией музыкальность? Эти схемы пример как из П605 сделать П210.
  19. Владимир Перепелкин
    Вы путаете допустимое напряжение Uce и зависимость допустимой мощности рассеивания от напряжения Uce. Так вот у транзисторов ГТ806, ГТ813 допустимая мощность катастрофически падает при Uce более 15 В.
  20. Владимир Перепелкин
    Плохо. Очень высокая склонность к вторичному пробою. Резкое падение допустимой мощности рассеивания при напряжении коллектор эмиттер более 15 - 20 В. В общем напряжение питания не рекомендуется делать более чем +-18 В, в случае двухполярного питания или 36 В однополярного.
  21. Владимир Перепелкин
    Конечно можно. Было даже несколько планарных NPN транзисторов на германии, один тип точно знаю ГТ311. Но там какой то затык с напряжением Uce. Высоковольтные и высокочастотные не получаются. На кремнии проще и дешевле. И ОБР у кремниевых шире. Для мощного транзистора один из важнейших параметров. Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны.
  22. Владимир Перепелкин
    Про технологию карбидных транзисторов не знаю. Но используется в качестве изолятора и междуоперационной маски то же что то нерастворимое в воде.
  23. Владимир Перепелкин
    В биполярном надо. При тройной диффузии сначала на эпитаксиальной пленке формируют окисел, потом вскрывают окна и формируют базо-эмиттерные области и высокоомную часть коллектора. Потом опять окисляют вскрывают окна и формируют металлизацию для выводов базы и эмиттера. Это упрощенное описание техпроцесса КТ8101 КТ8102.
  24. Владимир Перепелкин
    Я тоже слушал. и это не винтажик.
  25. Владимир Перепелкин
    Экономически не очень выгодно. Нужно только для чего нибудь очень высокочастотного. У таких ОУ слишком низкие напряжения питания. На кремнии для нашей области применения проще и дешевле. и насколько я понимаю технологию основные операции совершались на кремнии под пленками оксида, а германиевые эмиттеры формировались на заключительных стадиях процесса. Тогда можно обойтись без пленки оксида германия.
×
×
  • Create New...