Jump to content

Владимир Перепелкин

Master
  • Posts

    692
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by Владимир Перепелкин

  1. Завершу оценку этого усилителя - убогий даже для 1977 года.
  2. Не жалко. Статья начинается на 30 странице. А все что там еще есть по усилителям не представляет интереса.
  3. Посмотрел усилитель. Мощных транзисторов на сварочник хватит, а мощности при этом с гулькин пенис. Звучание будет чуть получше Шушурина за 1978 год. Коррекция сделана таким же образом, только ступеньки не будет в отличие от Шушурина. Класс А все таки. Но для 1977 вполне нормально. Микрокапов еще не было чтобы коррекцию нормальную посчитать. Свистеть перестало уже достижение.
  4. Даже в этом каталоге нарисованы те же самые пороки, что и у винтажа. Однополюсная коррекция и вдобавок многопетевая ООС, накопили искажений подавили гармоники низкого порядка. И что в итоге? А так дышал, так дышал..... Одно хорошо - коррекция так включена, что через нее хотя бы помеха из цепей питания не лезет.
  5. И во всем винтажике, в 99 % полная засада с коррекцией, лепили конденсаторы куда попало лишь бы свистеть перестало. Как следствие резкое падение глубины ООС с повышением частоты и исходя из этого подавление гармоник низкого порядка и медленно спадающий ряд гармоник высокого порядка. При попытках увеличения глубины ООС усилитель начинал надувать всплеск на граничной частоте или срывался в генерацию. При подавлении всплеска и генерации проблемы со спектром гармоник только усугублялись. Начали искать всякие эзотерические причины. В результате родился миф о вреде глубокой ООС для звука. А дело было не в бобине........
  6. В Ямахе СА 2000 отсутствие электролита в сигнальной цепи как мертвому припарка. Конденсаторы из цепей питания в высокомную сигнальную точку - открытые ворота для помех и искажений из цепей питания. Выходной каскад повторитель двоечка - не позволяют реализовать потенциал схемотехнического каркаса. В результате ничего выдающегося. При большом петлевом усилении исходного усилителя это усиление слито в унитаз. Утилизация качественных транзисторов. Схему Красной Розы не видел, но скорее всего такая же хренотень.
  7. Ничего не мешает поставить пленку. Только это не тот усилитель на котором отловятся искажения конденсатора. Искажения от конденсатора на фоне искажений усилителя ничтожно малы. К тому же добавленные проблемы от пленочного конденсатора могут превысить проблемы от электролита. Пленочные конденсаторы гораздо габаритнее электролитов. И мы добавляем на вход усилителя такую габаритную антенну, которая обязательно наловит помех и искажений.
  8. Обещаное. Климентий, вот усилитель с необходимыми правками. Но звучит хуже своего кремниевого собрата с идиентичной схемотехникой.
  9. Климентий, при первой возможности, посчитаю для вас вариант германиевого усилителя с подобной коррекцией.
  10. Климентий, вот вариант, но только кремниевый. В нем коррекция оставляет максимум петлевого усиления, не пускает помеху из цепей питания и не жарит прежде упомянутый транзистор.
  11. Вот через такое. Предсерийный образец. Коаксиальный 10" 30-22000 по -6 дБ, 63-12000 +-3 дБ , 89 дБ/Вт/м. Частота кроссовера 1,2 кГц.
  12. То что я слушаю вам явно не понравиться. Сверхлинейные ПП усилители и коаксиальные студийные мониторы. Ваше любопытство удовлетворено? Вам же нужно чтобы звук был волосатый? Родниковая вода не входит?
  13. Сова, у вас необратимое повреждение слуха. От прослушивания всякой дряни.
  14. Это справедливо только для материала с собственной проводимостью. В транзисторах проводимость примесная и подвижность носителей зависит от концентрации примеси. Чем больше концентрация тем ниже подвижность. Ge транзисторы - приборы с высокой степенью концентрации, Si транзисторы с низкой. Причина в технологии. Практически все Ge транзисторы выполнены по сплавной технологии и ее мутациям, что приводит к высокой степени концентрации примеси и как следствие к низкой подвижности носителей и низкому быстродействию. Si транзисторы планарные, концентрация носителей низкая, как следствие подвижность носителей остается близкой к подвижности у материала с собственной проводимостью. И как следствие подвижность носителей в Si планарных транзисторах гораздо больше оной в Ge сплавных. Со всеми вытекающими.
  15. 6П3С 19 шт. 6П41С 12 шт. 6П42С 1 шт. 6П45С 1 шт. 6Ф12П 9 шт.
  16. Начал разбирать аппараты, вместо BUZ-ов оказались EXICON-ы. Вот такие: EC-10N_P16_20.pdf В принципе то же самое, полные аналоги. Тоже оригиналы, не Китай.
×
×
  • Create New...