Jump to content

Владимир Перепелкин

Master
  • Posts

    686
  • Joined

  • Last visited

3 Followers

Recent Profile Visitors

28499 profile views

Владимир Перепелкин's Achievements

Local

Local (10/14)

  • Мастер Rare
  • Posting Machine Rare
  • One Year In
  • Very Popular Rare
  • One Month Later

Recent Badges

168

Reputation

  1. Ничего не мешает поставить пленку. Только это не тот усилитель на котором отловятся искажения конденсатора. Искажения от конденсатора на фоне искажений усилителя ничтожно малы. К тому же добавленные проблемы от пленочного конденсатора могут превысить проблемы от электролита. Пленочные конденсаторы гораздо габаритнее электролитов. И мы добавляем на вход усилителя такую габаритную антенну, которая обязательно наловит помех и искажений.
  2. Обещаное. Климентий, вот усилитель с необходимыми правками. Но звучит хуже своего кремниевого собрата с идиентичной схемотехникой.
  3. Климентий, при первой возможности, посчитаю для вас вариант германиевого усилителя с подобной коррекцией.
  4. Климентий, вот вариант, но только кремниевый. В нем коррекция оставляет максимум петлевого усиления, не пускает помеху из цепей питания и не жарит прежде упомянутый транзистор.
  5. Вот через такое. Предсерийный образец. Коаксиальный 10" 30-22000 по -6 дБ, 63-12000 +-3 дБ , 89 дБ/Вт/м. Частота кроссовера 1,2 кГц.
  6. То что я слушаю вам явно не понравиться. Сверхлинейные ПП усилители и коаксиальные студийные мониторы. Ваше любопытство удовлетворено? Вам же нужно чтобы звук был волосатый? Родниковая вода не входит?
  7. Сова, у вас необратимое повреждение слуха. От прослушивания всякой дряни.
  8. Это справедливо только для материала с собственной проводимостью. В транзисторах проводимость примесная и подвижность носителей зависит от концентрации примеси. Чем больше концентрация тем ниже подвижность. Ge транзисторы - приборы с высокой степенью концентрации, Si транзисторы с низкой. Причина в технологии. Практически все Ge транзисторы выполнены по сплавной технологии и ее мутациям, что приводит к высокой степени концентрации примеси и как следствие к низкой подвижности носителей и низкому быстродействию. Si транзисторы планарные, концентрация носителей низкая, как следствие подвижность носителей остается близкой к подвижности у материала с собственной проводимостью. И как следствие подвижность носителей в Si планарных транзисторах гораздо больше оной в Ge сплавных. Со всеми вытекающими.
  9. 6П3С 19 шт. 6П41С 12 шт. 6П42С 1 шт. 6П45С 1 шт. 6Ф12П 9 шт.
×
×
  • Create New...