Leaderboard

1 hour ago, Zampotech said: Не все высоковольтные полевики мощные, есть высоковольтные задохлики, У них с входной емкостью все нормально. 1 hour ago, vs music said: Питание этой схемы было, наверное - вольт 80-90 (а может даже и больше), поэтому им пришлось поставить транзисторы в мощных корпусах. Но вопрос во входной емкости - входная емкость у мощных полевиков обычно довольно большая (несколько сотен пикофарад). Надо пробовать Коль скоро промелькнула фотка мощного МОСФЕТа, и у обоих явно приблизительное понимание по сему вопросу (это видно из реплик), и уж даже знаток_всего S.Laptev ограничился туманной фразой: "Значительно больше, 200-т вольтовые транзисторы вроде как", м-да. Растолкую. В теме "Галереря Макетов" вы видите у меня левый канал однотактника "по Гришинскому сценарию", я эту тему покурил от корки до корки. В принципе, это относится ко всем МОСФЕТам, что к мощным, что к задохликам. Итак: Меньшая (по сравнению с) входная ёмкость МОСФЕТа не потому что он задохлик и не потому что высоковольтный, хотя эти два качества в некотором виде связаны. Также, корпус в каких-то пределах тоже не показатель, у меня в наличии 80-амперные МОСФЕТы в TO-220, и 8-10-амперные в TO247/TO3P, и.. трёхамперные в TO92. Есть и 400-вольтовые, тоже в.. TO92. Ёмкость определяется площадью затвора. Чем бОльший ток проводит МОСФЕТ - тем бОльшей площади нужен затвор == БОЛЬШЕ ёмкость. Чем меньше падение напряжение мы хотим на нём получить - тем сильнее нужно активировать канал МОСФЕТа, следовательно, опять бОльшей площади затвор и! тем тоньше изоляция этого затвора, кои оба фактора == удвоенная БОЛЬШАЯ ёмкость. Т.е. низковольтные/низкоомные МОСФЕты имеют наибольшую ёмкость, а чем высоковольтнее тем изоляция затвора толще и тем высокоомнее открытый канал, т.е. тем входная ёмкость меньше. Это обусловлено чистА стремлением разработчиков получить наименьшее сопротивление открытого канала, а не вольтажом или "дохлостью". Самый мэйнстрим МОСФЕТы (по цене) сейчас имеют входную, я бы сказал от 1 до 5 нанофарад, при оговорке что сопротивление открытого канала наименьшее. С 1 нанофарадой это будут 200-вольтовые, а с 5 нано будут, скажем 70-80 вольтовые, с разным сопротивление канала, разумеется, примерно тоже раз в пять: 50 - > 10 миллиОм. Конечно, технологии не стоЯт на месте, и можно купить, скажем, 200-амперные полевики, но со входной ёмкостью (не падайте со стула) 19,2 нанофарад. Но нам такие без надобности )) В итоге для простого самодельшика всё сводится к жонглированию этими тремя параметрами в зависимости от назначения. Например, можно (дадом) выдрать из какого-нить UPSа: Mosfet_N IRFP150N 100V 40A 36mO 1,9nF или как вариант: Mosfet_N IRF640 200V 11A 0,18R 1,3nF. А если не-дадом, то по $62 просто суперский: Mosfet_N SCT3030ALHR 650V 70A 30mO 1,5nF Ну и, соответственно, нам нужно не абы чем эти полторы нанофарады драйвить. Но такая штука: оказалось, что в частности для SE, для "благозвучия" желательна некоторая латеральность (т.е. некоторое повышенное к мэйнстриму сопротивление канала - тупо, но это так), я бы сказал в диапазоне 0,3 - 1 Ом. Поэтому в итоге сердце успокоилось на древнем Mosfet_NL 2SK2607 800V 9A 1R 2.1nF Zener.

Ахмед...Алекс.. Давайте уж возвращайтесь к корректорам. Про сертификаты всё выяснили...

Ээээ, во 1-х, "латеральность" заключается вовсе не в этом. Это-же чисто технология производства. Помимо меньше входной емкости у латералов, у них гораздо ниже точка токового равностояния, что во многиз случаях сильно облегчает термостабилизацию, особенно в классе А (часто она автоматическая). А во 2-х - кого вообще интересует сопротивление канала (Rdson), для работы в усилителях? Этого параметра для них просто не существует, он только для ключевого режима. Как и многие другие параметры мосфетов, например dv/dt, Dds_Trr, которые крайне важны в других применениях, но "не работают" в этих. P.S. входная емкость сильно растет с ростом тока дрейна, одновременно с уменьшением Rdson, поскольку все современные мощные мосфеты это туева хуча включенных параллельно мелких мосфетиков, на одном кристалле. Чем обясняется происходящая иноогда частичная деградация (например рост этого самого Rdson) - вроде как мосфет еще живой, а параметры совсем другие (просто часть этих "мелких" отправились в страну вечных снов).

ВЧ+СЧ вместо штатных шириков на передней панели, МИД конечно стандартно в дверь.