Search the Community
Showing results for tags 'стабилизатор'.
-
Есть магнитопровод ОЛ40/130 х 87, первичную обмотку хочу намотать проводом диметр 1,2 мм 720 витков, вторичные две обмотки по 265 В, ток 0,5 А. Вопрос по такой, можно ли обычным эмалированным проводом в двое сложенным намотать эти обмотки и какая изоляция между слоями вторичек должна быть ? От них будут питаться раздельно анодные цепи левого и правого каналов лампового усилителя.
-
Успешно собирал для транзисторного фонокорректора двуполярный блок питания, решил поделиться, может кому-то пригодиться тоже такой вариант БП. Автор: Владимир Мосягин, источник. Назначение — питание предусилителей, аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей, RIAA корректоров, усилителей для стереотелефонов в классе А, схем без общей отрицательной обратной связи, схем с токовой обратной связью и других маломощных конструкций, требующих стабилизированных напряжений с малым и сверхмалым уровнем пульсаций. Принципиальная схема: Оксидные конденсаторы лучше брать с низким импедансом и большим импульсным током. Этим требованиям отвечают серии, используемые в материнских платах и блоках питания. Номиналы резисторов, определяющих выходные напряжения стабилизаторов DA1 и DA2, можно изменить, например, поставить R1=R2=2,2 кОм; R3=R4=150 Ом или R1=R2=3,9 кОм; R3=R4=270 Ом. Емкость конденсаторов С1 — С4 подбирается с точностью не хуже 3-5%. Транзисторы BDX53/BDX54 можно заменить соответственно на TIP122/TIP127 или TIP132/TIP137. Требуемые выходные напряжения (±15 В) устанавливаются под нагрузкой подбором сопротивлений резисторов R7 и R9. Печатная плата: Для надежной работы схемы, показанной на рис. 1 необходимо, чтобы падение напряжения между входом и выходом микросхемы DA1, а также между базой и эмиттером транзистора VT1 было больше или равно 4 В. При переменном напряжении на вторичных обмотках трансформатора Т1 ~18 В постоянное напряжение на конденсаторе С5 с учетом падения под нагрузкой: UС5=UII*корень 2*0,95=18*1,41*0,95=24 В. Напряжение на выходе микросхемы DA1: UDA1=Uоп(1+R1/R3)+Iпот*R1=1,25*(1+1600/110)+100*10^-6*1600=19,5 В. Падение напряжения между входом и выходом микросхемы DA1 составит 24-19,5=4,5 В. Падение напряжения между базой и эмиттером транзистора VT1 будет 19,5-15=4,5 В. В вашем случае на вторичных обмотках трансформатора Т1 имеется переменное напряжение ~15 В. UС5=20 В, напряжение на выходе микросхемы DA1 должно быть 16 В (R1=1,3 кОм), напряжение на выходе блока питания 12 В (R7=12 кОм).
